研究者業績
基本情報
- 所属
- 上智大学 理工学研究科理工学専攻 教授
- 学位
- 博士(工学)(東京大学)
- 連絡先
- k-ema
sophia.ac.jp - 研究者番号
- 40194021
- J-GLOBAL ID
- 200901045168026490
- researchmap会員ID
- 1000167951
1983年~1986年 光ファイバーガラスの力学特性に関する研究
1986年~1991年 超短光パルスの波形制御に関する研究
1991年~2002年 励起子共鳴領域における光伝搬の研究
1991年~現在 半導体励起子共鳴における非線形光学
1994年~現在 コヒーレントフォノンに関する研究
1995年~2001年 ポリマーの光物性と非線形
1996年~現在 無機有機複合型物質の光物性
2004年~現在 光触媒活性物質の光学特性に関する研究
2006年~2021年 半導体ナノコラムの光物性
2006年~2010年 量子ドット集団の光物性と非線形光学
2006年~2021年 光のアンダーソン局在とランダムレージング
2007年~2021年 窒化物半導体の光物性
2012年~現在 超分子複合体による分子認識蛍光プローブの光物理
主な研究は,半導体・有機物質などの光物性である.特に,超短光パルス光源による時間分解分光や非線形分光を用いた実験的な研究が中心である.最近では,対象となる物質として,半導体のナノ構造を研究している.専門教育に関しては,学部において,「電磁気学Ⅱ」「物理光学」「量子光学」大学院では「光物性」という専門の光に関する講義を中心に行っている.また,全学一般教育として,「身近な物理」という名で,身近な物理現象を題材にした物理の面白さを伝える講義も行っている.
(研究テーマ)
超高速光信号処理
励起子非線形光学
無機有機複合型物質の光物性
光触媒材料の光物性
半導体ナノ構造の光物性
光の局在とランダムレージング
超分子複合体の光物理
経歴
13-
2001年4月 - 現在
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2017年4月 - 2021年3月
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2012年4月 - 2014年3月
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2005年6月 - 2011年5月
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2008年5月 - 2010年3月
学歴
3-
1985年4月 - 1986年10月
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1983年4月 - 1985年3月
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1979年4月 - 1983年3月
委員歴
17-
2022年4月 - 現在
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2020年4月 - 現在
-
2017年4月 - 現在
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2015年4月 - 現在
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2001年4月 - 現在
受賞
1-
1992年
論文
209-
The Journal of Chemical Physics 161(17) 2024年11月1日 査読有り最終著者責任著者Metal halide perovskite materials (MHPs) are promising for several applications due to their exceptional properties. Understanding excitonic properties is essential for exploiting these materials. For this purpose, we focus on CsPbBr3 single crystals, which have higher crystal quality, are more stable, and have no Rashba effect at low temperatures compared to other 3D MHPs. We have estimated exciton energy positions, longitudinal-transverse splitting energy, and damping energy using low-temperature reflection spectra. Under high excitation intensity, two biexciton emissions (M-emission) and exciton–exciton scattering emission (P-emission) were observed. We assign the two M-emissions to the emission to the states of longitudinal and transverse excitons, i.e., ML and MT emissions. From the energy position of the MT emission, the biexciton binding energy has been estimated to be ∼2 meV. By analyzing P-emission obtained from the back side of the sample, we have estimated the exciton binding energy to be 17.8–23.7 meV. This estimation minimizes the influence of the wavenumber distribution in the scattering process. In addition, time-resolved transmittance measurements using pulsed white light have revealed the group velocity dispersion. Comparing experimental results with theoretical calculations using the Lorentz model clarifies that exciton dynamics in CsPbBr3 can be described with a simple Lorentz model. These insights enhance the understanding of exciton behavior and support the development of exciton-based devices using MHPs.
-
Analytical Sciences 2022年11月27日 査読有り最終著者責任著者
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Journal of Applied Physics 130(14) 2021年10月14日 査読有り最終著者責任著者
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J. Appl. Phys. 128(13) 133102-1-133102-10 2020年10月1日 査読有り最終著者責任著者
MISC
163-
日本物理学会講演概要集 65(1) 789-789 2010年3月1日
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日本物理学会講演概要集 64(2) 666-666 2009年8月18日
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日本物理学会講演概要集 64(2) 656-656 2009年8月18日
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日本物理学会講演概要集 64(1) 158-158 2009年3月3日
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日本物理学会講演概要集 64(1) 158-158 2009年3月3日
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日本物理学会講演概要集 64(1) 727-727 2009年3月3日
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日本物理学会講演概要集 64(1) 728-728 2009年3月3日
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日本物理学会講演概要集 64(1) 743-743 2009年3月3日
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電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 108(321) 7-11 2008年11月20日GaNナノコラムは、自己組織的に成長する直径100nm程度、高さ1μm程度の柱状結晶で、貫通転移を含まないことから結晶性に優れ、誘導放出光も観察されている。一方、GaNナノコラムは基板上にランダムに配置していることから、2次元ランダム系ととらえることが出来、光の強い局在効果が期待される。本研究では、ランダム系における光の局在現象の一つであるランダムレージングを、GaN系半導体として初めて観察した。また、コラム密度の異なるサンプル間の比較や、2次元FDTDによるシミュレーション計算より、観察されたランダムレージングと光の強局在の関連性を明らかにした。
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日本物理学会講演概要集 63(1) 579-579 2008年2月29日
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電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 107(125) 29-33 2007年6月22日通信波長帯でのサブバンド間遷移(Intersubband transition:ISBT)は、LOフォノン放出により超高速で緩和するため、光スイッチング素子としての応用が;期待できる。GaN系ISBTは他のISBT試料と比べて特に高速で緩和することができるが、問題点として、サファイア基板との格子不整合によつて生じた貫通転位によるスイッチング効率の低下があげられる。高密度柱状結晶のGaNナノコラムでは、貫通転位を含まない優れた結晶性を有するため、試料の高品質化が望める。そこで我々はGaNナノコラムに多重量子ディスク(MQD)を挿入した試料において、通信波長帯でのISBTによる吸収を確認した。さらに、ポンプ・プローブ法を用いて、ISBT吸収飽和信号の超高速な緩和過程を観測し、性能指数を見積もった。
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電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 107(124) 29-33 2007年6月22日通信波長帯でのサブバンド間遷移(Intersubband transition:ISBT)は、LOフォノン放出により超高速で緩和するため、光スイッチング素子としての応用が;期待できる。GaN系ISBTは他のISBT試料と比べて特に高速で緩和することができるが、問題点として、サファイア基板との格子不整合によつて生じた貫通転位によるスイッチング効率の低下があげられる。高密度柱状結晶のGaNナノコラムでは、貫通転位を含まない優れた結晶性を有するため、試料の高品質化が望める。そこで我々はGaNナノコラムに多重量子ディスク(MQD)を挿入した試料において、通信波長帯でのISBTによる吸収を確認した。さらに、ポンプ・プローブ法を用いて、ISBT吸収飽和信号の超高速な緩和過程を観測し、性能指数を見積もった。
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日本物理学会講演概要集 62 536-536 2007年
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日本物理学会講演概要集 61(2) 603-603 2006年8月18日
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日本物理学会講演概要集 61(2) 612-612 2006年8月18日
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日本物理学会講演概要集 61(1) 739-739 2006年3月4日
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日本物理学会講演概要集 61(1) 739-739 2006年3月4日
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日本物理学会講演概要集 61(1) 733-733 2006年3月4日
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日本物理学会講演概要集 60(2) 585-585 2005年8月19日
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日本物理学会講演概要集 60(1) 718-718 2005年3月4日
書籍等出版物
31講演・口頭発表等
84-
Sophia Open Research Week 2023 講演会「光を用いた高機能細菌検出-その基本原理と実例-」、上智大学 2023年11月18日 招待有り
所属学協会
4共同研究・競争的資金等の研究課題
37-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 2024年4月 - 2028年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 2024年4月 - 2027年3月
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上智大学 学術研究特別推進費「重点領域研究」 2021年8月 - 2024年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 挑戦的研究(萌芽) 2017年6月 - 2020年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B) 2016年4月 - 2020年3月
その他
3-
1998年文化系学生向けに,物理の考え方と面白さを,身近な題材を用いて講義している.90分の講義を3テーマくらいに分けて,30分程度で一つの話題に時間を抑えている.これは,もし興味の沸かないテーマだった場合にも切り替えが速いことで対応できること,および興味が沸いた学生にとっては,もっと深く知りたいと感じたところで終わり,自分で調べる意欲を沸かせるという教育上の効果を狙っている.
-
1994年すべての講義において,自作の補助教材を用意し,事前に学生に配布している.図表や細かい式などは,その教材に記載されているので,学生は講義の最中に長い式や複雑な図表のノート取りの必要はなく,講義の内容を聞くことに集中できる.また,動画を見た方がわかりやすいものは,ノートPCを使って動画を見せたり,わかりやすいスライドを見せることも行っている.