坂間弘

サカマヒロシ (Sakama Hiroshi)

基本情報

所属: 上智大学理工学部機能創造理工学科教授

学位: 工学士(東京大学)
工学修士(東京大学)
博士（工学）(東京大学)

連絡先: h-sakamasophia.ac.jp
研究者番号: 10242017
J-GLOBAL ID: 200901016096031949
researchmap会員ID: 1000012285

1991年～1997年　東京大学工学系研究科で表面について研究
1997年～現在　上智大学理工学部で薄膜について研究

上智大学学内共同研究
　課題：マイクロ波および紫外線照射下における光触媒を用いた迅速的水処理技術の開発
　期間：平成１９～２１年度
科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業
　領域：環境保全のためのナノ構造制御触媒と新材料の創製
　課題：分子の特性を最大限に引き出すナノサイズ構造体がつくる場の研究
　代表者：中村振一郎（三菱化学）
　期間：平成１７～１９年度
　テーマ：表面界面の光物性
ハイテクリサーチセンター
　課題：ナノ構造による極限光・磁気物性の探索とデバイスへの展開
　期間：平成１６～２１年度

(研究テーマ)
表面構造の研究
薄膜の結晶成長
遷移金属酸化物の物性
光触媒
新規蛍光材料の探索

研究キーワード

研究分野

学歴

1979年4月 - 1983年3月

東京大学工学部物理工学科

受賞

2005年3月

Journal of Surface Science and Nanotechnology 論文賞

論文

Evaluation of the self-cleaning ability of MoO<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline" id="d1e128" altimg="si47.svg"><mml:msub><mml:mrow/><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:math> thin films prepared by radio frequency magnetron sputtering using a quartz crystal microbalance technique

Naoki Shimosako, Kaito Takahashi, Hiroshi Sakama

Thin Solid Films 140584-140584 2024年12月
Estimation of photocatalytic activity of TiO<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline" id="d1e346" altimg="si44.svg"><mml:msub><mml:mrow /><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:math> in vacuum using a quartz crystal microbalance technique for space applications

Naoki Shimosako, Hiroshi Sakama, Tadayasu Dotani

Acta Astronautica 2023年9月
Long-term change of transmission spectra of quartz glass contaminated with oleamide in vacuum

Naoki Shimosako, Hiroshi Sakama, Tadayasu Dotani

Acta Astronautica 2022年11月
Basic photocatalytic activity of ZrO2 thin films fabricated by a sol-gel method under UV-C irradiation

Naoki Shimosako, Hiroshi Sakama

Thin Solid Films 732 138786-138786 2021年8月
Quantum efficiency of photocatalytic activity by GaN films

N. Shimosako, H. Sakama

AIP Adv. 11(2) 025019-025019 2021年2月査読有り

もっとみる

MISC

分子状コンタミネーションの分解を目指した光触媒の宇宙利用

下迫直樹, 坂間弘, 堂谷忠靖

日本航空宇宙学会誌 72(4) 115-120 2024年4月査読有り招待有り
TiO₂長寿命光励起キャリア観測のためのPump-Probe法の開発

土田直樹, 橋本直樹, 下迫直樹, 坂間弘, 江馬一弘, 欅田英之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
宇宙機応用を目的とした真空環境下におけるZrO₂薄膜の光触媒活性評価

下迫直樹, KNUTSSON Josefine, 坂間弘

宇宙科学技術連合講演会講演集(CD-ROM) 65th 2021年
TiO₂薄膜の電子線照射に対する耐性

吉野光祐, 下迫直樹, 島崎一紀, 宮崎英治, 坂間弘

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年
二酸化チタンの表面光起電力から探る空間電荷層内での光励起キャリアのダイナミクス

小澤健一, 山本達, 湯川龍, 江森万里, 井上剛貴, 樋口拓, 坂間弘, 間瀬一彦, 松田巌

日本物理学会講演概要集 72.1 2599-2599 2017年

酸化物半導体における光励起キャリアの挙動は，半導体結晶内部と表面・界面近傍では大きく異なる。これは，表面・界面近傍には空間電荷層（SCL）が形成されており，励起キャリアはSCLのポテンシャル勾配に沿って運動するためである。そのため，キャリア寿命はSCLのポテンシャル構造に依存することが容易に想像できるが，これまでの研究ではこの効果を考慮したものがほとんどなかった。本研究では，表面光起電力の時間分解測定から，二酸化チタン表面近傍に形成されたSCL内でのキャリアダイナミクスを検証し,ポテンシャル構造やSCL内に存在するキャリアトラップ準位密度の影響を明らかにした。