坂間弘

サカマヒロシ (Sakama Hiroshi)

基本情報

所属: 上智大学理工学部機能創造理工学科教授

学位: 工学士(東京大学)
工学修士(東京大学)
博士（工学）(東京大学)

連絡先: h-sakamasophia.ac.jp
研究者番号: 10242017
J-GLOBAL ID: 200901016096031949
researchmap会員ID: 1000012285

1991年～1997年　東京大学工学系研究科で表面について研究
1997年～現在　上智大学理工学部で薄膜について研究

上智大学学内共同研究
　課題：マイクロ波および紫外線照射下における光触媒を用いた迅速的水処理技術の開発
　期間：平成１９～２１年度
科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業
　領域：環境保全のためのナノ構造制御触媒と新材料の創製
　課題：分子の特性を最大限に引き出すナノサイズ構造体がつくる場の研究
　代表者：中村振一郎（三菱化学）
　期間：平成１７～１９年度
　テーマ：表面界面の光物性
ハイテクリサーチセンター
　課題：ナノ構造による極限光・磁気物性の探索とデバイスへの展開
　期間：平成１６～２１年度

(研究テーマ)
表面構造の研究
薄膜の結晶成長
遷移金属酸化物の物性
光触媒
新規蛍光材料の探索

研究キーワード

研究分野

学歴

1979年4月 - 1983年3月

東京大学工学部物理工学科

受賞

2005年3月

Journal of Surface Science and Nanotechnology 論文賞

論文

Estimation of photocatalytic activity of TiO<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline" id="d1e346" altimg="si44.svg"><mml:msub><mml:mrow /><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:math> in vacuum using a quartz crystal microbalance technique for space applications

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酸化物半導体における光励起キャリアの挙動は，半導体結晶内部と表面・界面近傍では大きく異なる。これは，表面・界面近傍には空間電荷層（SCL）が形成されており，励起キャリアはSCLのポテンシャル勾配に沿って運動するためである。そのため，キャリア寿命はSCLのポテンシャル構造に依存することが容易に想像できるが，これまでの研究ではこの効果を考慮したものがほとんどなかった。本研究では，表面光起電力の時間分解測定から，二酸化チタン表面近傍に形成されたSCL内でのキャリアダイナミクスを検証し,ポテンシャル構造やSCL内に存在するキャリアトラップ準位密度の影響を明らかにした。