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上智大学

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岸野 克巳

 
アバター
研究者氏名岸野 克巳
 
 
学位工学修士(東京工業大学), 工学博士(東京工業大学)
科研費研究者番号90134824
J-Global ID200901064478824668

プロフィール

(研究テーマ)
窒化物半導体ナノ構造とナノデバイス
分子線エピタキシーによる結晶成長
ナイライド系化合物半導体の結晶成長とデバイスへの応用(共同・受託研究希望テーマ)
集積型ナノコラムLEDとディスプレイ応用
緑色発光半導体レーザの開発

研究キーワード

 
フォトニック結晶効果 ,ナノレーザ ,InGaN/GaN多重量子井戸 ,緑色半導体レーザ ,三原色集積型LEDs ,分子線エピタキシー ,GaNナノコラム ,ナノ構造 ,窒化物半導体

研究分野

 
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学 / 
  • ナノテク・材料 / 結晶工学 / 

受賞

 
2021年10月
Microoptics Group, The Japan Society of Applied Physics, MOC Award,The Award honors outstanding technical contributions to the fundamentals and/or applications of microoptics.
Katsumi Kishino 
 
2016年9月
固体素子・材料国際会議, SSDM Award 2016
 
2016年
IEEE: Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., IEEE Fellow
Katsumi Kishino 
 
2012年
IEEE: Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., 2011-2012年 Distinguished Lecturer of IEEE Photonic Society
 
2009年
応用物理学会, 第3回(2009年度) 応用物理学会 Fellow受賞
岸野 克巳 
 

論文

 
 
N. Shimosako   K. Kinjo   Y. Inose   T. Nakaoka   T. Oto   K. Kishino   K. Ema   
Journal of Applied Physics   130(14) 143106-143106   2021年10月   [査読有り]
 
Andreas Liudi Mulyo   Anjan Mukherjee   Ida Marie Høiaas   Lyubomir Ahtapodov   Tron Arne Nilsen   Håvard Hem Toftevaag   Per Erik Vullum   Katsumi Kishino   Helge Weman   Bjørn-Ove Fimland   
ACS Applied Nano Materials      2021年8月   [査読有り]
 
Takao Oto   Masato Okamura   Yuzo Matsui   Kai Motoyama   Shunsuke Ishizawa   Rie Togashi   Katsumi Kishino   
Japanese Journal of Applied Physics   60(6) 060904-060904   2021年6月   [査読有り]
 
N. Shimosako   Y. Inose   K. Kinjo   T. Nakaoka   T. Oto   K. Kishino   K. Ema   
J. Appl. Phys.   128(13) 133102-1-133102-10   2020年10月   [査読有り]
 
A. Liudi Mulyo   M. Krishnappa Rajpalke   P. E. Vullum   H. Weman   K. Kishino   B.-O. Fimland   
Scientific Reports   10(853)    2020年1月   [査読有り]

MISC

 
 
野間 友博   林 宏暁   福島 大史   今野 裕太   野村 一郎   岸野 克巳   
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114(338) 117-120   2014年11月
紫外から赤外に亘るバンドギャップエンジニアリングが可能な窒化物は魅力的な材料である.しかしながら,含有欠陥の多さからその特長が制限されている.本研究では欠陥低減を特長とする窒化物ナノコラムを,大面積/低コスト化が望めるSiウェハへ作製した. Siウェハでは窒化物成長が困難であるため,スパッタ成膜したAlNを核形成層として用いた. TEM評価と,市販GaN基板に対して5.6倍強いPL発光強度を示したことより,無数の転位を含んだスパッタ膜上であってもナノコラム成長法によって高い結晶性の単結晶作...
 
 
鈴木 翔   光野 徹也   山野 晃司   岸野 克巳   原 和彦   
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113(408) 29-31   2014年1月
電子線描画と反応性イオンエッチングにより、GaN薄膜を微細加工することで、一辺1.5μm、高さ900nm程度の六角形状GaNマイクロディスクを、三角格子状に周期7.5μmで配列したマイクロディスクアレイを作製した。波長337.1nm、パルス幅900ps、周波数10Hzの光励起下で、このマイクロディスクアレイから波長370nm程度でのレーザー発振を得た。光共振器機構としては、各マイクロディスクでウィスパリングギャラリーモードが機能していると考えられる。トップダウン手法のみで六角形状に1.0μ...
 
猪瀬 裕太   植田 裕輝   下迫 直樹   江馬 一弘   酒井 優   井川 雄介   岸野 克巳   大槻 東巳   
日本物理学会講演概要集   68(2) 160-160   2013年8月
 
猪瀬 裕太   植田 裕輝   下迫 直樹   江馬 一弘   酒井 優   井川 雄介   岸野 克巳   大槻 東巳   
日本物理学会講演概要集   68(2) 684-684   2013年8月

書籍等出版物

 
 
沖本真也, 上山智, 大音隆男, 岸野克巳, 村本宜彦, 木村真大, 宮永昭治, 谷口雄一, 高橋泰典, 福島誉史, 森英治(担当:共著, 範囲:第2章 第2節 ナノコラム構造と表面プラズモン結合による赤色発光増強技術)
サイエンス&テクノロジー株式会社   2021年8月27日   
 
edited by Asahi, Hajime, Horikoshi, Yoshiji(担当:共著, 範囲:Mechanism of Selective Area Growth by MBE; Part I, pp. 91-106)
Wiley   2019年11月   (ISBN:9781119355014)
 
K. Kishino, H. Sekiguchi(担当:分担執筆, 範囲:Part I Chapter 2)
Pan Stanford Publishing Pte. Ltd.   2017年   
 
岸野 克巳(担当:共著, 範囲:vol. 84, No. 1, pp. 66-70)
応用物理   2015年1月10日      
 
岸野 克巳(担当:単著)
「サイテック」特集   2013年4月