機能創造理工学科 - 上智学院教員教育研究情報データベース

プロフィール

2006-2018、国立大学法人東京農工大学大学院工学研究院、III族窒化物半導体、III族酸化物半導体結晶に関するエピタキシャル成長および理論解析について研究
2018-現在　上智大学理工学部機能創造理工学科、III族窒化物半導体、III族酸化物半導体結晶に関する結晶成長、デバイス応用、理論解析について研究(研究テーマ)
III族酸化物半導体結晶成長
前駆体二段階生成HVPE法によるInN成長
III族窒化物半導体成長

研究キーワード

ハイドライド気相成長法 ,第一原理計算 ,酸化物半導体結晶成長 ,III族窒化物半導体結晶成長 ,熱力学解析 ,半導体結晶成長

研究分野

ナノテク・材料 / 構造材料、機能材料 /
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /
ナノテク・材料 / 結晶工学 /

受賞

2016年3月

応用物理学会, 第6回（2015年度）女性研究者研究業績・人材育成賞（小舘香椎子賞）研究業績部門（若手）,実験と計算化学の協調によるⅢ族窒化物半導体気相成長の研究

2015年11月

The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, Young Researcher Award,Comparative Study on Thermal Stability of Group-III Oxides

2014年7月

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会, 研究奨励賞,前駆体二段階生成HVPE法による高速・高温InN成長

2010年5月

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会, 発表奨励賞,GaN自立基板上InNハイドライド気相成長における基板極性の影響

論文

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規則配列 GaN ナノコラムの直径変化による光導波構造形成

畠山大輝成田一貴大音隆男富樫理恵岸野克巳

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 3286-3286 2018年9月

InGaN/GaN ナノコラムプラズモニック結晶の発光増強メカニズム

菊地主馬大音隆男岡本晃一富樫理恵岸野克巳

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 3287-3287 2018年9月

Comparison of O2 and H2O as oxygen source for homoepitaxial growth of β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy

Keita Konishi Ken Goto Rie Togashi Hisashi Murakami Masataka Higashiwaki Akito Kuramata Shigenobu Yamakoshi Bo Monemar Yoshinao Kumagai

Journal of Crystal Growth 492 39-44 2018年6月 [査読有り]

Electronic properties of the residual donor in unintentionally doped β-Ga2O3

N.T. Son K. Goto K. Nomura Q. T. Thieu R. Togashi H. Murakami Y. Kumagai A. Kuramata M. Higashiwaki A. Koukitu S. Yamakoshi B. Monemar E. Janzén

Journal of Applied Physics 120(23) 235703-1-235703-8 2016年12月 [査読有り]

Thermal and chemical stabilities of group-III sesquioxides in a flow of either N

Togashi Rie Kisanuki Yumi Goto Ken Murakami Hisashi Kuramata Akito Yamakoshi Shigenobu Monemar Bo Koukitu Akinori Kumagai Yoshinao

Jpn. J. Appl. Phys. 55(12) 1202BE 2016年11月

The thermal and chemical stabilities of group-III sesquioxides (Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>, Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf>, and In<inf>2</inf>O<inf>3</inf>) were comparatively investigated at an atmospheric pressure at heat treatment temperatures ra...