富樫理恵

研究者氏名	富樫理恵
	トガシリエ
所属	上智大学
部署	理工学部機能創造理工学科
職名	准教授
学位	博士（工学）(東京農工大学)
科研費研究者番号	50444112
J-Global ID	201801000291501271

プロフィール

2006-2018、国立大学法人東京農工大学大学院工学研究院、III族窒化物半導体、III族酸化物半導体結晶に関するエピタキシャル成長および理論解析について研究
2018-現在　上智大学理工学部機能創造理工学科、III族窒化物半導体、III族酸化物半導体結晶に関する結晶成長、デバイス応用、理論解析について研究(研究テーマ)
III族酸化物半導体結晶成長
前駆体二段階生成HVPE法によるInN成長
III族窒化物半導体成長

研究キーワード

ハイドライド気相成長法 ,第一原理計算 ,酸化物半導体結晶成長 ,III族窒化物半導体結晶成長 ,熱力学解析 ,半導体結晶成長

研究分野

ナノテク・材料 / 構造材料、機能材料 /
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /
ナノテク・材料 / 結晶工学 /

受賞

2016年3月

応用物理学会, 第6回（2015年度）女性研究者研究業績・人材育成賞（小舘香椎子賞）研究業績部門（若手）,実験と計算化学の協調によるⅢ族窒化物半導体気相成長の研究

2015年11月

The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, Young Researcher Award,Comparative Study on Thermal Stability of Group-III Oxides

2014年7月

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会, 研究奨励賞,前駆体二段階生成HVPE法による高速・高温InN成長

2010年5月

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会, 発表奨励賞,GaN自立基板上InNハイドライド気相成長における基板極性の影響

論文

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Effect of High NH3 Input Partial Pressure on Hydride Vapor Phase Epitaxy of InN Using Nitrided (0001) Sapphire Substrates

Rie Togashi Sho Yamamoto K. Fredrik Karlsson Hisashi Murakami Yoshinao Kumagai Per-Olof Holtz Akinori Koukitu

Japanese Journal of Applied Physics 52 08JD05-1-08JD05-4 2013年5月 [査読有り]

The influence of the source gas supply sequence prior to growth and the NH3 input partial pressure (PoNH3) on the nucleation of InN islands during the initial stages of hydride vapor phase epitaxy on a nitrided (0001) sapphire substrate was invest...

High-Temperature Heat-Treatment of c-, a-, r-, and m-Plane Sapphire Substrates in Mixed Gases of H2 and N2

Kazushiro Nomura Shoko Hanagata Atsushi Kunisaki Rie Togashi Hisashi Murakami Yoshinao Kumagai Akinori Koukitu

Japanese Journal of Applied Physics 52 08JB10-1-08JB10-4 2013年5月 [査読有り]

Orientation dependent decomposition of sapphire substrates and resultant AlN formation during heat treatment in an atmospheric-pressure mixedgas flow of H2 and N2 was investigated within the temperature range 980–1480 oC. AlN was formed on sapphir...

Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polar InN(10(1)over-bar3) crystal on GaAs(110) by MOVPE

H. C. Cho R. Togashi H. Murakami Y. Kumagai A. Koukitu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 367 122-125 2013年3月 [査読有り]

In this report, effects of ammonia nitridation and low temperature InN buffer growth were investigated to improve the crystalline quality of InN(10 (1) over bar3) grown on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). InN(10 (1) over bar3...

Influence of source gas supply sequence on hydride vapor phase epitaxy of AlN on (0001) sapphire substrates

Rie Togashi Toru Nagashima Manabu Harada Hisashi Murakami Yoshinao Kumagai Hiroyuki Yanagi Akinori Koukitu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 360 197-200 2012年12月 [査読有り]

AlN layers were grown on (0001) sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) at 1100 degrees C with a source gas supply sequence of (1) NH3 preflow or (2) AlCl3 preflow. An Al-polarity AlN layer without inclusion of a N-polarity regio...

Formation of AlN on sapphire surfaces by high-temperature heating in a mixed flow of H-2 and N-2

Yoshinao Kumagai Takahiro Igi Masanari Ishizuki Rie Togashi Hisashi Murakami Kazuya Takada Akinori Koukitu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 350(1) 60-65 2012年7月 [査読有り]

Heat treatment of (0001) sapphire substrates in the temperature range 980-1480 degrees C was investigated in an atmospheric-pressure mixed flow of H-2 and N-2 for various molar fractions of H-2 (F degrees=H-2/(H-2+ N-2)). At 1330 degrees C, AIN wh...