研究者氏名 富樫 理恵
トガシ リエ 所属 上智大学 部署 理工学部機能創造理工学科 職名 准教授 学位 博士(工学)(東京農工大学) 科研費研究者番号 50444112 J-Global ID 201801000291501271
プロフィール 2006-2018、 国立大学法人東京農工大学大学院工学研究院、III族窒化物半導体、III族酸化物半導体結晶に関するエピタキシャル成長および理論解析について研究 2018-現在 上智大学理工学部機能創造理工学科、III族窒化物半導体、III族酸化物半導体結晶に関する結晶成長、デバイス応用、理論解析について研究(研究テーマ) III族酸化物半導体結晶成長 前駆体二段階生成HVPE法によるInN成長 III族窒化物半導体成長
研究キーワード
ハイドライド気相成長法
,第一原理計算
,酸化物半導体結晶成長
,III族窒化物半導体結晶成長
,熱力学解析
,半導体結晶成長
受賞
2016年3月
応用物理学会, 第6回(2015年度)女性研究者研究業績・人材育成賞(小舘香椎子賞)研究業績部門(若手),実験と計算化学の協調によるⅢ族窒化物半導体気相成長の研究
2015年11月
The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, Young Researcher Award,Comparative Study on Thermal Stability of Group-III Oxides
2014年7月
日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会, 研究奨励賞,前駆体二段階生成HVPE法による高速・高温InN成長
2010年5月
日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会, 発表奨励賞,GaN自立基板上InNハイドライド気相成長における基板極性の影響
論文
村上尚   花岡幸史   富樫理恵   稲葉克彦   熊谷義直   纐纈明伯   
Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 38(4) 255-262 2011年 [招待有り]
Rie Togashi   Hisashi Murakami   Yoshinao Kumagai   Akinori Koukitu   
Journal of Crystal Growth 312(5) 651-655 2010年2月 [査読有り]
InN layers were grown on both-sides-polished (0 0 0 1) freestanding GaN substrates by hydride vapor-phase epitaxy (HVPE) in the growth temperature range from 450 to 650 °C with an input partial pressure of NH3 ranging from 3.0×10-2 to 3.8×10-1 atm...
Hikari Suzuki   Uliana Panyukova   Rie Togashi   Hisashi Murakami   Yoshinao Kumagai   Akinori Koukitu   
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 7-8 7(7-8) 2265-2267 2010年 [査読有り]
The activation energies for Al and N desorption from an AlN surface were calculated using the density functional theory (DFT) to obtain a detailed understanding of the decomposition process of AlN(0001) Al and N surfaces under a hydrogen atmospher...
Yoshinao Kumagai   Hirokazu Adachi   Aya Otake   Yoshihiro Higashikawa   Rie Togashi   Hisashi Murakami   Akinori Koukitu   
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 7-8 7(7-8) 2022-2024 2010年 [査読有り]
The temperature dependence of InN growth on (0001) sapphire substrates by atmospheric pressure hydride vapor phase epitaxy (HVPE) was investigated. N-polarity single-crystal InN layers were successfully grown at temperatures ranging from 400 to 50...
Rie Togashi   Tomoki Kamoshita   Hirokazu Adachi   Hisashi Murakami   Yoshinao Kumagai   Akinori Koukitu   
physica status solidi c 6(S2 2) S372-S375 2009年6月 [査読有り]
MISC
東脇正高   WONG Man Hoi   小西敬太   佐々木公平   佐々木公平   後藤健   後藤健   野村一城   THIEU Quang Tu   富樫理恵   村上尚   熊谷義直   MONEMAR Bo   纐纈明伯   倉又朗人   増井建和   山腰茂伸   
電子情報通信学会技術研究報告 115(402(ED2015 112-120)) 13‐18 2016年1月
寺尾真人   山本玲緒   山本玲緒   木下亨   永島徹   小幡俊之   高島信也   富樫理恵   村上尚   SCHLESSER Raoul   COLLAZO Ramon   纐纈明伯   MONEMAR Bo   MONEMAR Bo   SITAR Zlatko   熊谷義直   
結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 45th ROMBUNNO.20PS15 2015年10月
野村一城   後藤健   後藤健   佐々木公平   佐々木公平   THIEU Quang Tu   富樫理恵   村上尚   東脇正高   倉又朗人   山腰茂伸   BO Monemar   BO Monemar   纐纈明伯   熊谷義直   
結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 45th ROMBUNNO.19PB08 2015年10月
小西敬太   佐々木公平   佐々木公平   後藤健   後藤健   野村一城   THIEU Quang Tu   THIEU Quang Tu   富樫理恵   村上尚   熊谷義直   MONEMAR Bo   MONEMAR Bo   纐纈明伯   倉又朗人   山腰茂伸   東脇正高   
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.16P-4C-7 2015年8月
山本玲緒   山本玲緒   木下亨   永島徹   小幡俊之   高島信也   富樫理恵   熊谷義直   SCHLESSER Raoul   COLLAZO Ramon   纐纈明伯   SITAR Zlatko   
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.13P-1D-13 2015年8月
講演・口頭発表等
進藤 隆太   赤川 広海   山口 智広   尾沼 猛儀   野村 一郎   本田 徹   富樫 理恵   岸野 克巳   
第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023年9月22日
星野 航太   吉村 賢哉   髙橋 昂司   工藤 駿介   山田 純平   富樫 理恵   岸野 克巳   
第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023年9月21日
赤川 広海   山田 純平   山口 智広   富樫 理恵   尾沼 猛儀   野村 一郎   本田 徹   岸野 克巳   
第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023年9月21日
赤塚 泰斗   掛村 康人   山田 純平   両角 浩一   石沢 峻介   赤坂 康一郎   野田 貴史   富樫 理恵   岸野 克巳   
第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023年9月21日
赤坂 康一郎   石沢 峻介   両角 浩一   宮澤 弘   赤塚 泰斗   野田 貴史   富樫 理恵   岸野 克巳   
第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023年9月21日
社会貢献活動
【運営参加・支援】IWGO-4(4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials) 2020年10月6日 - 2023年6月30日
【企画】 2021年5月1日 - 2022年5月1日