言語の選択:

理工学部

研究者リスト >> 下村 和彦
 

下村 和彦

 
アバター
研究者氏名下村 和彦
 
シモムラ カズヒコ
URLhttp://pweb.cc.sophia.ac.jp/shimolab/
所属上智大学
部署理工学部機能創造理工学科
職名教授
学位工学博士(東京工業大学)
科研費研究者番号90222041
J-Global ID200901062540285806

プロフィール

1991年 東京工業大学・工学部・助手
半導体光スイッチ・変調器に関する研究
1992年 上智大学・理工学部・電気電子工学科専任講師
1995年 上智大学・理工学部・電気電子工学科助教授
光インターコネクションに関する研究
光制御FETに関する研究
有機金属気相成長法による長波長系材料の成長に関する研究
2000年10月-2001年9月 ベル研究所(米国ルーセントテクノロジー)Member of Technical Staff
モード同期レーザに関する研究
2002年 上智大学・理工学部・電気電子工学科教授
光通信用デバイスに関する研究教育活動においては、学部生を対象に、「電磁波伝搬の基礎」、「光電磁波伝送工学」の講義を行っている。「電磁波伝搬の基礎」ではMaxwellの方程式より導かれる電磁波について、平面波、反射、透過、放射などの基礎的現象、そして「光電磁波伝送工学」では、その応用として導波管、誘電体導波路を例として伝送路を用いた電磁波の伝送に関する講義を行っている。大学院では、「光導波工学」において、光通信システムにおいて必要な、光導波論、半導体材料として重要な量子構造に関する講義を行っている。
研究活動においては、光通信用デバイスに関する研究を行っている。光インターコネクション技術に関して、直接貼付InP薄膜/シリコン基板を用いたシリコンプラットフォームへの光デバイス集積化について研究を行っている。また波長多重通信のための波長分波器、光交換用の光スイッチ、光変調器、光偏向器、波長スイッチの研究、またこれらのデバイスの元となる量子ドット構造に関する研究を行っている。(研究テーマ)
光スイッチに関する研究
有機金属気相成長に関する研究
波長分割光スイッチに関する研究
全光スイッチに関する研究
量子ドットに関する研究
光インターコネクションに関する研究
電子デバイスに関する研究(共同・受託研究希望テーマ)
光デバイスに関する研究
有機金属気相成長装置による結晶成長

研究キーワード

 
半導体レーザ ,シリコンフォトニクス ,波長分波器 ,全光スイッチ ,光スイッチ ,光デバイス ,光電子デバイス ,量子ドット ,選択成長 ,有機金属気相成長 ,半導体結晶成長 ,光インターコネクション ,光集積回路

研究分野

 
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器 / 
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学 / 

経歴

 
1991年4月
 - 
1992年3月
東京工業大学工学部  助手 
 

論文

 
 
G.K. Periyanayagam   K. Shimomura   
Physica Status Solidi A   2300677-1-2300677-6   2024年2月   [査読有り]
 
L. Zhao   K. Agata   R. Yada   J. Zhang   K. Shimomura   
Compound Semiconductor Week 2023 (CSW 2023)   WeA3-5   2023年5月   [査読有り]
 
R. Yada   K. Agata   L. Zhao   S. Ito   S. Aoki   K. Simomura   
28th International Semiconductor Laser Conference   TuP-25   2022年10月   [査読有り]
 
L. Zhao   M. Sato   K. Shibukawa   S. Ito   K. Agata   K. Shimomura   
Conference on Lasers and Electro-Optics PacificRim 2022   CWP12B-02   2022年8月   [査読有り]
 
G.K. Perlyanayagam   K. Shimomura   
Journal of Electronic Materials   51 5110-5119   2022年6月   [査読有り]

MISC

 
 
松本 恵一   金谷 佳則   岸川 純也   下村 和彦   
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114(97) 15-18   2014年6月
直接貼付法を用いて作製されたInP/Si基板上にMOVPE選択成長(Ga)InAs/InP量子ドット構造を導入したアレイ型LEDの作製を行った.作製されたLEDからはEL発光を観測することに成功し,InP基板上に作製された試料からのピーク波長と良い一致を示した.この実験結果は,InP/Si基板上にInP系結晶の再成長を行う手法を用いてSi基板上における通信波長帯域光源集積の可能性を示すことに成功したといえる.
 
道又 賢司   島本 一成   和保 孝夫   荻野 雄大   下村 和彦   
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113(449) 51-54   2014年2月
InAsナノワイヤ/CMOS異種技術融合集積回路の試作を行った。回路には直列に接続された抵抗を用いた分圧器とΔΣ変調器が含まれており、InAsナノワイヤをその抵抗の一つに用いた。InAsナノワイヤのCMOS基板上への集積化には誘電泳動を利用する電界アシスト自己整合堆積法(FASA)を用いた。ナノワイヤによって分圧されたアナログ電圧をΔΣ変調器によりデジタル疎密波に変換することに成功した。また、FASAにおける電極間に流れる電流変化を測定することで、ナノワイヤの堆積を電気的にモニタできること...
 
松本 恵一   張 きんきん   金谷 佳則   下村 和彦   
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113(100) 13-18   2013年6月
大容量高速通信を実現するIII-V族半導体をSiプラットフォーム上に集積することが求められている。本論文では直接貼付法とウェットエッチングを用いてInP/Si基板を作製し,この基板上にMOVPE法によるGaInAs/InP MQW構造の結晶成長を行った.また,SiO_2-Si基板とGlass基板でも同様の結晶成長を実現し,Si基板上ではGaInAs/InP MQW構造を層構造とする狭ストライプ選択MOVPE成長を行った.この技術は,Siをはじめとする異種基板上へ多機能なIII-V族半導体光...
 
船山 裕晃   渡邉 龍郎   道又 賢司   和保 孝夫   村上 新   下村 和彦   
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報   112(445) 43-46   2013年2月
電界アシスト自己堆積プロセス(FASA)を用いてInAsナノワイヤをSi基板上に堆積した。InAsナノワイヤ及びInAs/InPコアシェルナノワイヤに関して、FASA歩留まりの周波数依存性を比較した。また、FASAによりナノワイヤをクロス型に堆積することを試みた。さらに、nMOSFETとナノワイヤを用いたインバータを作製し、回路動作を確認した。
 
道又 賢司   船山 裕晃   渡邉 龍郎   村上 新   下村 和彦   和保 孝夫   
電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2012(2) 58-58   2012年8月

書籍等出版物

 
 
下村和彦(担当:共著, 範囲:第7章 第4節 「シリコン基板上における化合物半導体の集積化技術と半導体レーザへの応用」)
技術情報協会   2022年11月30日   (ISBN:9784861049019)
 
下村 和彦(担当:その他, 範囲:176-188)
株式会社 情報機構   2017年6月27日   (ISBN:9784865021349)   
 
下村 和彦(担当:共著, 範囲:307-317)
エヌ・ティー・エス   2011年3月25日   (ISBN:9784860433765)   
 
下村 和彦(担当:共著, 範囲:341-354)
Institute of Pure and Applied Physics   2005年2月   (ISBN:4900526193)   

講演・口頭発表等

 
 
Junyu Zhang   G.K.Periyanayagam   趙亮   下村和彦   
第71回応用物理学会春季学術講演会   2024年3月24日   
 
趙亮   G.K.Periyanayagam   Junyu Zhang   矢田涼介   下村和彦   
第71回応用物理学会春季学術講演会   2024年3月22日   
 
黒井瑞生   趙 亮   下村和彦   
第84回応用物理学会秋季学術講演会   2023年9月22日   
 
趙 亮   G.K. Periyanayagam   Zhang Junyu   矢田涼介   下村和彦   
第84回応用物理学会秋季学術講演会   2023年9月22日   
 
趙 亮   阿形幸二   伊藤慎吾   矢田涼介   下村和彦   
第70回応用物理学会春季学術講演会   2023年3月16日   

所属学協会

 
 
   
 
電子情報通信学会
 
   
 
応用物理学会
 
   
 
IEEE

共同研究・競争的資金等の研究課題

 
 
ハイブリッドシリコン集積回路による光通信用送信サブシステム構築に関する研究
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
下村 和彦 
研究期間: 2021年4月 - 2024年3月
 
人工葉の創成とその光化学変換
上智大学: 重点領域研究
研究期間: 2018年4月 - 2022年3月
 
シリコンプラットフォーム上ハイブリッド集積技術構築と接合基板上結晶成長機構の解明
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
下村 和彦 
研究期間: 2018年4月 - 2021年3月
 
シリコンフォトニクス回路へのIII-V族量子ドットレーザ集積化に関する研究
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
下村 和彦 
研究期間: 2015年4月 - 2018年3月
 
研究期間: 2016年4月 - 2018年3月

産業財産権

 
 
 
吉田 順自   仁科 潤   下村 和彦   
 
吉田 順自   下村 和彦   
 
北村啓明   下村和彦   
 

その他

 
 
電磁気学Ⅲ、光電磁波伝送工学の講義においては、講義内容に関連する小テストをほぼ毎回実施している。ノートの参照を許し、また答案を回収後すぐに解答を示している。これにより学生の講義に対する理解を補助していると考えている。
 
 
研究室の輪講会において、学生たちにレポート・論文の書き方を指導することに力を入れている。レポートを書くための文献・資料をどうやって集めるか、集めた文献・資料をどのように読みこなしていくか、自分が書こうとするレポート・論文で展開する議論をどのような構成にしていくか、文献・資料をどのように利用するか、レポート・論文の書式はどのようでなければならないか、といった点を中心に指導している。
 
 
毎週行われている研究室の研究発表会において、学生たちにプレゼンテーションの仕方を指導することに力を入れている。わかりやすいプレゼンテーションをするためのパワーポイントの作り方、よりわかりやすい発表の仕方等について指導を行っている。
 
 
研究室の卒業研究生、および大学院生には、研究データ・資料のデジタル化を行うことを義務付けている。また過去の卒業論文、修士論文、博士論文、また投稿論文、国際会議、国内学会発表論文、資料等、すべていつでも参照できる環境を整えている。さらに研究に関連することは同報メールで随時情報を送っている。
 
 
本学に赴任以来、Research Reviewを3号発行した。これは、研究室所属者の雑誌投稿論文、国際会議、研究会、国内学会等の予稿をまとめたものであり、卒研生、大学院生の知的向上と成果公表をめざしたものである。