内田寛

研究者氏名	内田寛
	ウチダヒロシ
URL
所属	上智大学
部署	理工学部物質生命理工学科
職名	教授
学位	修士（工学）(上智大学), 博士（工学）(東京工業大学)
科研費研究者番号	60327880
J-Global ID	200901055907958881

プロフィール

上智大学　理工学部物質生命理工学科　無機工業化学グループ
（上智大学大学院　理工学研究科理工学専攻　応用化学領域）

主要な研究テーマ：
溶液プロセスを主体とした無機マイクロ･ナノ材料製造技術の研究開発（低温合成・組成制御・三次元加工・化学溶液堆積・水熱合成・超臨界流体）
エレクトロニクス＆エネルギーデバイス用新規化合物の探索（誘電体・圧電体・半導体／高性能材料・環境調和型材料）

近年の活動内容：
溶液プロセスによる高性能な強誘電体/圧電体薄膜の製造技術開発
環境親和型強誘電体/圧電体薄膜材料の探索
水熱合成プロセスによる無機材料薄膜の創製
超臨界流体を用いた無機材料合成プロセスの開発

研究キーワード

ゾルゲル法 ,化学溶液堆積 ,水熱合成 ,超臨界流体 ,金属酸化物ナノシート ,非鉛含有 ,強誘電体 ,薄膜 ,無機材料

研究分野

ナノテク・材料 / 材料加工、組織制御 /
ナノテク・材料 / 無機物質、無機材料化学 /
ナノテク・材料 / 無機材料、物性 /

経歴

12 >

2018年4月

現在

上智大学理工学部物質生命理工学科教授

2010年4月

2018年3月

上智大学理工学部物質生命理工学科准教授

2008年4月

2010年3月

上智大学理工学部物質生命理工学科助教

2000年4月

2008年3月

上智大学理工学部化学科助手

2006年4月

2007年3月

University of Texas at Austin Department of Chemical and Petroleum Engineering Visiting Researcher

学歴

1997年4月

2000年3月

東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻

1995年4月

1997年3月

上智大学理工学研究科応用化学専攻

1994年4月

1995年3月

上智大学理工学部化学科（2008年度改組）

論文

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Barkhausen Noise analysis of Thin Film Ferroelectrics

Keisuke YAZAWA Benjamin DUCHARNE Hiroshi UCHIDA Hiroshi FUNAKUBO John E. Blendell

Appl. Phys. Lett. 117(1) 012902-1-4 2020年7月 [査読有り]

The first direct Barkhausen noise measurement in a ferroelectric thin film is presented. The Barkhausen noise energy loop is reconstructed from the measured Barkhausen noise and is closely related to the classic ferroelectric P vs E hysteresis loo...

Role of Alkan-1-ol Solvents in the Synthesis of Yellow Luminescent Carbon Quantum Dots (CQDs): Van der Waals Force-caused Aggregation and Agglomeration

Kenta HAGIWARA Hiroshi UCHIDA Yumiko SUZUKI Takashi HAYASHITA Kanjiro TORIGOE Tetsuya KIDA Satoshi HORIKOSHI

RSC Adv. 10(24) 14396-14402 2020年4月 [査読有り]

This journal is © The Royal Society of Chemistry. Carbon quantum dots (CQDs; luminescent carbon nanoparticles, size < 10 nm) have attracted much attention with respect to their eco-friendliness and multi-functionality. The solvent-dependent photol...

Room-Temperature Deposition of Ferroelectric HfO2-based Films by the Sputtering Method

Takanori MIMURA Takao SHIMIZU Hiroshi UCHIDA Hiroshi FUNAKUBO

Appl. Phys. Lett. 116(6) 062901-1-5 2020年2月 [査読有り]

Ferroelectricity has been demonstrated in epitaxial 7%Y-doped HfO2 (0.07YO(1.5)-0.93HfO(2), YHO7) films grown by the RF magnetron sputtering method at room temperature without any subsequent annealing. The x-ray diffraction patterns of such films ...

Epitaxial growth of Mg<inf>2</inf>Si films on (111) Si substrates covered with epitaxial SiC layers

Katagiri, A. Ogawa, S. Shimizu, T. Matsushima, M. Akiyama, K. Uchida, H. Funakubo, H.

Japanese Journal of Applied Physics 59(SF) SF1001-1-4 2020年1月 [査読有り]

Origin of Grain Size Effects on Voltage-Driven Ferroelastic Domain Evolution in Polycrystalline Tetragonal Lead Zirconate Titanate Thin Film

Keisuke YAZAWA Hiroshi UCHIDA John E. Blendell

Adv. Funct. Mater. 30(9) 1909100-1-6 2020年1月 [査読有り]

Grain size effects on electromechanical properties and voltage-driven ferroelastic domain wall motion are a well-known phenomenon in polycrystalline ferroelectrics. Here, the origin of the grain size effects on voltage-driven ferroelastic domain w...