内田寛

研究者氏名	内田寛
	ウチダヒロシ
URL
所属	上智大学
部署	理工学部物質生命理工学科
職名	教授
学位	修士（工学）(上智大学), 博士（工学）(東京工業大学)
科研費研究者番号	60327880
J-Global ID	200901055907958881

プロフィール

上智大学　理工学部物質生命理工学科　無機工業化学グループ
（上智大学大学院　理工学研究科理工学専攻　応用化学領域）

主要な研究テーマ：
溶液プロセスを主体とした無機マイクロ･ナノ材料製造技術の研究開発（低温合成・組成制御・三次元加工・化学溶液堆積・水熱合成・超臨界流体）
エレクトロニクス＆エネルギーデバイス用新規化合物の探索（誘電体・圧電体・半導体／高性能材料・環境調和型材料）

近年の活動内容：
溶液プロセスによる高性能な強誘電体/圧電体薄膜の製造技術開発
環境親和型強誘電体/圧電体薄膜材料の探索
水熱合成プロセスによる無機材料薄膜の創製
超臨界流体を用いた無機材料合成プロセスの開発

研究キーワード

ゾルゲル法 ,化学溶液堆積 ,水熱合成 ,超臨界流体 ,金属酸化物ナノシート ,非鉛含有 ,強誘電体 ,薄膜 ,無機材料

研究分野

ナノテク・材料 / 材料加工、組織制御 /
ナノテク・材料 / 無機物質、無機材料化学 /
ナノテク・材料 / 無機材料、物性 /

経歴

12 >

2018年4月

現在

上智大学理工学部物質生命理工学科教授

2010年4月

2018年3月

上智大学理工学部物質生命理工学科准教授

2008年4月

2010年3月

上智大学理工学部物質生命理工学科助教

2000年4月

2008年3月

上智大学理工学部化学科助手

2006年4月

2007年3月

University of Texas at Austin Department of Chemical and Petroleum Engineering Visiting Researcher

学歴

1997年4月

2000年3月

東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻

1995年4月

1997年3月

上智大学理工学研究科応用化学専攻

1994年4月

1995年3月

上智大学理工学部化学科（2008年度改組）

論文

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Kinetics of Interfacial Microstructural Variation across Insulator-Thermoelectric Semiconductor interface and its Effects on Thermoelectric Properties of Magnesium Silicide Thin Films

P.S. Sankara Rama Krishnan Anna N. Morozovska Eugene A. Eliseev Shota Ogawa Atsuo Katagiri Masaaki Matsushima Kensuke Akiyama Hiroshi Uchida Hiroshi Funakubo

Materialia Vol. 7 pp. 100340 2019年9月 [査読有り]

Growths of (110)-one-axis-oriented perovskite-type oxide thin films with local epitaxy on (111)SrTiO3 single crystal substrates

Tomoya Sato Takanori Kiguchi Toyohiko J. Konno Jun-ichi Kimura Daichi Ichinose Takanori Mimura Hiroshi Funakubo Kiyoshi Uchiyama

Jpn. J. Appl. Phys. 58(SL) SLLB01-1-SLLB01-5 2019年9月 [査読有り]

Thin films of BaCe0.8Y0.2O3−δ (BCYO) and SrZr0.8Y0.2O3-δ (SZYO) with a perovskite structure were deposited on (111)Pt//(111)SrTiO3 (STO) single crystal substrates by an RF-magnetron sputtering method. X-ray diffraction revealed that the BCYO and S...

Growth of epitaxial (K, Na)NbO3 films with various orientations by hydrothermal method and their properties

Yoshiharu Ito Akinori Tateyama Yoshiko Nakamura Takao Shimizu Minoru Kurosawa Hiroshi Uchida Takahisa Shiraishi Takanori Kiguchi Toyohiko J. Konno Mutsuo Ishikawa Hiroshi Funakubo

Jpn. J. Appl. Phys. 58 SLLB14-1-SLLB14-8 2019年9月 [査読有り]

{100}c-, {110}c- and {111}c-oriented epitaxial (K, Na)NbO3 thin films were grown at 240 °C on (100)cSrRuO3//(100)SrTiO3, (110)cSrRuO3//<br />
(110)SrTiO3, and (111)cSrRuO3//(111)SrTiO3 substrates by the hydrothermal method. Their film thicknesses ...

Effect of Ta-substitution on the deposition of (K,Na)(Nb,Ta)O3 films by hydrothermal method

Yuta Muto Takahisa Shiraishi Yoshiharu Ito Akinori Tateyama Hiroshi Uchida Takanori Kiguchi Hiroshi Funakubo Toyohiko J. Konno

Jpn. J. Appl. Phys. 58 SLLB12-1-SLLB12-5 2019年9月 [査読有り]

Ta substituted (K,Na)NbO3 films have been deposited at 200 °C on (001)La:SrTiO3 substrates by hydrothermal method. Film composition continuously changed with increasing the concentration of Ta2O5 in the raw material powder, and X-ray diffraction m...

Deposition of Orientation Controlled Thick (K,Na)NbO3 Films on Metal Substrates by Repeated Hydrothermal Deposition Technique

Yoshiharu ITO Akinori TATEYAMA Yoshiko NAKAMURA Takao SHIMIZU Minoru KUROSAWA Hiroshi UCHIDA Takahisa SHIRAISHI Takanori KIGUCHI Toyohiko J. KONNO Mutsuo ISHIKAWA Hiroshi FUNAKUBO

J. Ceram. Soc. Jpn. 127(7) 478-484 2019年7月 [査読有り]

(K,Na)NbO3 thick films were grown at 240 degrees C on Ni-based metal substrates by repeated hydrothermal method. The metal substrates were covered with two types of buffer layers; SrRuO3/LaNiO3 and SrRuO3. Film thickness monotonically increased wi...