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理工学部

研究者リスト >> 野村 一郎
 

野村 一郎

 
アバター
研究者氏名野村 一郎
 
ノムラ イチロウ
通称等の別名野村 一郎
所属上智大学
部署理工学部機能創造理工学科
職名教授
学位工学士(上智大学), 工学修士(上智大学), 博士（工学）(上智大学)
科研費研究者番号00266074
J-Global ID200901053354827454

プロフィール

1988年－1994年　AlGaInP赤色半導体レーザの研究
1994年－現在　InP基板上Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体材料の開拓とデバイス応用教育活動について
過去に担当した講義科目
「旧電気・電子工学科」
応用数学Ⅰ、基礎科目演習Ⅱ、電気工学実験Ⅲ、電気工学実験Ⅳ
「学部」
電気・電子回路の基礎、半導体物性、電気電子情報産業概論、電気電子工学実験Ⅲ、情報リテラシー演習（応用）、統計解析法演習、情報リテラシー演習（機能創造理工学科指定）、科学技術英語
「大学院」
ADVANCED ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING 2、研究指導演習
現在担当している講義科目
「学部」
半導体物理の基礎、電子量子力学、電子物性工学、理工学総論、電気電子工学実験Ⅰ、電気電子工学実験Ⅱ、GREEN ENGINEERING LAB. 3、機能創造理工学科ゼミナール、情報リテラシー（統計処理）、卒業研究
「大学院」
量子物性工学、電気・電子工学ゼミナール、大学院演習、研究指導
研究活動について
これまで、Ⅲ-Ⅴ及びⅡ-Ⅵ族化合物半導体の開拓、またデバイスへの応用に向けた研究を行っている。(研究テーマ)
化合物半導体による新機能光デバイスの開発(共同・受託研究希望テーマ)
フルカラー発光デバイス光源の開発

研究キーワード

 
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 ,分子線エピタキシー ,発光ダイオード ,半導体レーザ ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体 ,エピタキシャル成長 ,光デバイス

研究分野

 
  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / 
  • ナノテク・材料 / 光工学、光量子科学 / 
  • ナノテク・材料 / 応用物性 / 

受賞

 
1995年
井上研究奨励賞
 

論文

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Investigation of the n-side structures of II-VI compound semiconductor optical devices on InP substrates
Kenta Ishii   Ryosuke Amagasu   Ichirou Nomura   
Journal of Crystal Growth   512 96-99   2019年2月   [査読有り]
 
Evaluation of the Conduction Band Discontinuity of MgSe/ZnCdSe Heterojunctions on InP Substrates Using n–i–n Diodes
Yudai Momose   Ichirou Nomura   
Journal of Electronic Materials   47(8) 1-4   2018年5月   [査読有り]
Conduction band discontinuity (ΔEc) of MgSe/ZnCdSe heterojunctions were evaluated using n–i–n diodes consisting of an undoped i-MgSe layer sandwiched by n-doped ZnCdSe layers. The n–i–n diodes were fabricated on InP substrates by molecular beam ep...
 
Application of indium tin oxide to the p-cladding layers of yellow/green II-VI compound semiconductor laser diode structures on InP substrates
Koji Fukushima   Tomohiro Shiraishi   Ryohei Kobayashi   Katsumi Kishino   Ichirou Nomura   
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 13 NO 7-9   13(7-9) 665-668   2016年   [査読有り]
The application of indium tin oxide (ITO) as the p-cladding layer of II-VI compound semiconductor laser diodes (LDs) on InP substrates was investigated. The waveguide analysis of the LD structures revealed that the optical confinement effect aroun...
 
Investigation of yellow/green II-VI compound semiconductor laser diode structures on InP substrates
Ryohei Kobayashi   Shingo Takamatsu   Koji Fukushima   Katsumi Kishino   Ichirou Nomura   
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 13 NO 7-9   13(7-9) 669-672   2016年   [査読有り]
II-VI-compound-semiconductor laser diode (LD) structures on InP substrates were investigated using device simulations and waveguide analysis. Our simulations showed that electron injection from the n-cladding into the active layer is hindered by t...
 
Investigation of p-side contact layers for II-VI compound semiconductor optical devices fabricated on InP substrates by MBE
Shingo Takamatsu   Ichirou Nomura   Tomohiro Shiraishi   Katsumi Kishino   
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   425 199-202   2015年9月   [査読有り]
N-doped p-type ZnTe and ZnSeTe contact layers were investigated to evaluate which is more suitable for use in II-VI compound semiconductor optical devices on InP substrates. Contact resistances (R-c) between the contact layers and several electrod...

MISC

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InP基板上ZnCdSe/MgZnCdSe MQW構造における量子閉じ込めシュタルク効果と共振型光変調器への適用
原口 勝   新井 将之   森田 敏弘   服部 洋   永野 剛之   野村 一郎   菊池 昭彦   下村 和彦   岸野 克巳   
電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   96(399) 61-66   1996年12月
本研究ではInP基板上に格子整合するII-VI族MgZnCdSe系混晶を用いた光変調器の作製を目指している.今回,InP基板に格子整合するZnCdSe/MgZnCdSe多重量子井戸を分子線エピタキシー法により成長し,その量子閉じ込めシュタルク効果(QCSE)を評価したので報告する.この量子井戸構造に電界を印加した時の反射スペクトルを測定したところ,1.87x10^5V/cmの電界印加時に-6.3%の反射率変化が観測された.この値は-3.4%の屈折率変化に相当し,エキシトン効果に起因するもの...
 
MBE法によるInP基板上ZnCdSe/MgZnCdSe混晶系の結晶成長と評価
森田 敏弘   新保 宏幸   野村 一郎   菊池 昭彦   岸野 克巳   
電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス   95(415) 49-54   1995年12月
分子線エピタキシー(MBE)法により、InP基板上に格子整合する、Mg組成比0〜0.63のMgZnCdSe単層膜、及びZnCdSe/MgZnCdSeダプルヘテロ構造の成長を行った。15Kにおけるフォトルミネッセンス(PL)測定により、成長した試料の禁制帯幅は2.17〜3.12eVであることが判った。また、MgZnCdSe混晶の反射率測定より屈折率の算出を行った。ZnCdSe/MgZnCdSe量子井戸構造を作製したところ、15Kにおいて深い準位からの発光のないシャープなPLスペクトルが得られ...
 
InP基板上のMgZnCdSe混晶及びZnCdSe/MgZnCdSeヘテロ接合のMBE成長
森田 敏弘   菊池 昭彦   野村 一郎   岸野 克巳   
電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会   1995(21) 1-9   1995年12月
 
(GaP)_m/(InP)_m短周期二元超格子におけるGaInP量子細線構造の自己組織化条件と量子細線レーザ
吉田 順自   菊池 昭彦   野村 一郎   岸野 克巳   
電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス   95(377) 67-72   1995年11月
(GaP)_m/(InP)_m短周期二元超格子の積層時に生じる量子細線構造の自己組織化現象に関し、二元超格子層の分子層数m及び成長基板の基板傾斜角度を変化させることで検討を行った。その結果、量子細線の自己組織化は、基板傾斜角度に大きく依存することが分かった。(100)-GaAs基板上では分子層数mが1.2ML以上で、[011]方向に5゜offした(100)-GaAs基板では、1MLで既に量子細線の自己組織化を示唆する結果得られた。また、15゜offでは微小ステップ幅により自己組織化が抑制さ...
 
(GaP)_n/(InP)_m短周期二元超格子によるGaInP量子細線の自己組織化と量子細線レーザ
吉田 順自   菊池 昭彦   野村 一郎   岸野 克巳   
電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会   1995(1) 29-36   1995年11月

書籍等出版物

 
 
野村 一郎(担当:共著, 範囲:120-123)
Springer   2007年   （ISBN:9783540472346）   
 
野村 一郎
森北出版   2006年3月31日   （ISBN:9784627773219）   

講演・口頭発表等

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Kenya Yoshimura   Shunsuke Kudo   Koji Takahashi   Jumpei Yamada   Ai Mizuno   Ichirou Nomura   Rie Togashi   Katsumi Kishino   
The International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-20)   2023年8月4日   
 
Hiromi Akagawa   Jumpei Yamada   Tomohiro Yamaguchi   Rie Togashi   Takeyoshi Onuma   Ichirou Nomura   Tohru Honda   Katsumi Kishino   
The International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-20)   2023年7月31日   
 
山田純平   水野愛   赤川広海   吉村賢哉   高橋昂司   富樫理恵   野村一郎   山口智広   本田徹   岸野克巳   
第70回応用物理学会春季学術講演会   2023年3月17日   
 
水野愛   本田達也   山田純平   富樫理恵   野村一郎   岸野克巳   
第70回応用物理学会春季学術講演会   2023年3月15日   
 
赤川広海   山田純平   山口智広   冨樫理恵   尾沼猛儀   野村一郎   本田徹   岸野克巳   
第70回応用物理学会春季学術講演会   2023年3月15日   

所属学協会

 
 
   
 
応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

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ナノコラム結晶による三原色集積型発光デバイスの革新
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(A)
岸野 克巳 野村 一郎 大音 隆男 富樫 理恵 山口 智広 
研究期間: 2019年4月 - 2022年3月
 
InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体によるサブバンド間遷移光デバイスの新展開
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
野村 一郎 
研究期間: 2018年4月 - 2021年3月
 
タイプⅡヘテロ新材料の開拓とデバイス応用に向けた研究
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
野村 一郎 
研究期間: 2014年4月 - 2017年3月
 
ナノ結晶効果によるエネルギー・環境適合デバイスの革新
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 特別推進研究
岸野 克巳 大槻 東巳 関口 寛人 光野 徹也 江馬 一弘 菊池 昭彦 中岡 俊裕 野村 一郎 関根 智幸 音 賢一 
研究期間: 2012年 - 2016年
 
高性能緑色域半導体レーザに向けた新ヘテロ材料の開拓
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
野村 一郎 
研究期間: 2010年 - 2012年

産業財産権

 
 
野村 一郎   
 
野村 一郎   

その他

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2006年4月    
講義科目と演習科目をリンクさせ、講義で学習した内容についてなるべく速やかに演習を行い、理解を深められるようにしている。また、演習を持ち込み不可の試験形式で行うことで演習を受ける前の講義の復習を促し、習熟度が増すようにしている。一方、講義科目では演習に加え中間及び期末試験を実施し、これにより学習到達度を評価している。
 
 
2006年4月    
情報関連の講義では、資料の配布やレポート提出を学内のPCやネット上で行うなど情報機器を有効利用し、授業運営の効率化を図っている。
 
 
2006年4月    
講義中では、各項目毎に質問を受け付けたり、簡単な例題を解いて内容をより理解できるように努めている。
 
 
2000年4月    
研究によって得たれた結果や成果等は速やかにメールで関係者に配布し、またデータベースに保存することで情報の共有化を図るように指導している。
 
 
1994年4月    
毎年8月にグループ内の研究会を開催し、それまでの研究成果のまとめや今後の方針について議論する。これにより研究の進め方や成果の取り纏め、報告の仕方等の指導を行っている。
 
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