研究者氏名 野村 一郎
ノムラ イチロウ 通称等の別名 野村 一郎 所属 上智大学 部署 理工学部機能創造理工学科 職名 教授 学位 工学士(上智大学), 工学修士(上智大学), 博士(工学)(上智大学) 科研費研究者番号 00266074 J-Global ID 200901053354827454
プロフィール 1988年-1994年 AlGaInP赤色半導体レーザの研究 1994年-現在 InP基板上Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体材料の開拓とデバイス応用教育活動について 過去に担当した講義科目 「旧電気・電子工学科」 応用数学Ⅰ、基礎科目演習Ⅱ、電気工学実験Ⅲ、電気工学実験Ⅳ 「学部」 電気・電子回路の基礎、半導体物性、電気電子情報産業概論、電気電子工学実験Ⅲ、情報リテラシー演習(応用)、統計解析法演習、情報リテラシー演習(機能創造理工学科指定)、科学技術英語 「大学院」 ADVANCED ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING 2、研究指導演習 現在担当している講義科目 「学部」 半導体物理の基礎、電子量子力学、電子物性工学、理工学総論、電気電子工学実験Ⅰ、電気電子工学実験Ⅱ、GREEN ENGINEERING LAB. 3、機能創造理工学科ゼミナール、情報リテラシー(統計処理)、卒業研究 「大学院」 量子物性工学、電気・電子工学ゼミナール、大学院演習、研究指導 研究活動について これまで、Ⅲ-Ⅴ及びⅡ-Ⅵ族化合物半導体の開拓、またデバイスへの応用に向けた研究を行っている。(研究テーマ) 化合物半導体による新機能光デバイスの開発(共同・受託研究希望テーマ) フルカラー発光デバイス光源の開発
研究キーワード
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体
,分子線エピタキシー
,発光ダイオード
,半導体レーザ
,Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体
,エピタキシャル成長
,光デバイス
論文
Kenta Ishii   Ryosuke Amagasu   Ichirou Nomura   
Journal of Crystal Growth 512 96-99 2019年2月 [査読有り]
Yudai Momose   Ichirou Nomura   
Journal of Electronic Materials 47(8) 1-4 2018年5月 [査読有り]
Conduction band discontinuity (ΔEc) of MgSe/ZnCdSe heterojunctions were evaluated using n–i–n diodes consisting of an undoped i-MgSe layer sandwiched by n-doped ZnCdSe layers. The n–i–n diodes were fabricated on InP substrates by molecular beam ep...
Koji Fukushima   Tomohiro Shiraishi   Ryohei Kobayashi   Katsumi Kishino   Ichirou Nomura   
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 13 NO 7-9 13(7-9) 665-668 2016年 [査読有り]
The application of indium tin oxide (ITO) as the p-cladding layer of II-VI compound semiconductor laser diodes (LDs) on InP substrates was investigated. The waveguide analysis of the LD structures revealed that the optical confinement effect aroun...
Ryohei Kobayashi   Shingo Takamatsu   Koji Fukushima   Katsumi Kishino   Ichirou Nomura   
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 13 NO 7-9 13(7-9) 669-672 2016年 [査読有り]
II-VI-compound-semiconductor laser diode (LD) structures on InP substrates were investigated using device simulations and waveguide analysis. Our simulations showed that electron injection from the n-cladding into the active layer is hindered by t...
Shingo Takamatsu   Ichirou Nomura   Tomohiro Shiraishi   Katsumi Kishino   
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 425 199-202 2015年9月 [査読有り]
N-doped p-type ZnTe and ZnSeTe contact layers were investigated to evaluate which is more suitable for use in II-VI compound semiconductor optical devices on InP substrates. Contact resistances (R-c) between the contact layers and several electrod...
MISC
野間 友博   林 宏暁   福島 大史   今野 裕太   野村 一郎   岸野 克巳   
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(338) 117-120 2014年11月
紫外から赤外に亘るバンドギャップエンジニアリングが可能な窒化物は魅力的な材料である.しかしながら,含有欠陥の多さからその特長が制限されている.本研究では欠陥低減を特長とする窒化物ナノコラムを,大面積/低コスト化が望めるSiウェハへ作製した. Siウェハでは窒化物成長が困難であるため,スパッタ成膜したAlNを核形成層として用いた. TEM評価と,市販GaN基板に対して5.6倍強いPL発光強度を示したことより,無数の転位を含んだスパッタ膜上であってもナノコラム成長法によって高い結晶性の単結晶作...
野村 一郎   岸野 克巳   蛯沢 智也   櫛田 俊   田才 邦彦   中村 均   朝妻 庸紀   中島 博   
電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 108(351) 53-58 2008年12月
InP基板上のMgZnCdSe、BeZnTe、BeZnSeTe II-VI族半導体は可視光中域、特に緑色発光素子材料として有望である。我々はこれら材料の開拓を進め、活性層にBeZnSeTe、nクラッド層にMgSe/ZnCdSe超格子、pクラッド層にMgSe/BeZnTe超格子を用いた発光素子の開発を行ってきた。その結果、5000時間以上の素子寿命を達成し、II-VI族素子としては大幅な改善を得た。一方、BeZnSeTeを活性層とするダブルヘテロ構造では室温において緑色光励起発振に成功し、B...
岸野 克巳   野村 一郎   
電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 103(527) 45-48 2003年12月
InP基板に格子整合するMgZnCdSe、BeZnTeII-VI族材料及びこれらを組み合わせた超格子材料を開拓し、広い可視光域で発光する半導体レーザ(LD)及び発光ダイオード(LED)に応用した。ZnCdSe/BeZnTe超格子を活性層、MgSe/BeZnTe超格子をpクラッド層、MgSe/ZnCdSe超格子をnクラッド層としたLEDを作製し、ピーク波長554nm(黄緑色)から644nm(赤色)の発光を得た。また、3500時間以上の長寿命動作を達成し、この素子の高い信頼性を示した。さらに活...
SHINOZAKI Wataru   NOMURA Ichirou   SHIMBO Hiroyuki   HATTORI Hiroshi   SANO Takashi   CHE Song-Bek   KIKUCHI Akihiko   SHIMOMURA Kazuhiko   KISHINO Katsumi   
Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 1998 354-355 1998年9月
HATTORI Hiroshi   NOMURA Ichirou   SHINBO Hiroyuki   NAGANO Takeshi   HARAGUCHI Masaru   MORITA Toshihiro   KIKUCHI Akihiko   KISHINO Katsumi   
Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 1997 216-217 1997年9月
書籍等出版物
野村 一郎(担当:共著, 範囲:120-123)
Springer 2007年 (ISBN:9783540472346)
野村 一郎
森北出版 2006年3月31日 (ISBN:9784627773219)
講演・口頭発表等
Kenya Yoshimura   Shunsuke Kudo   Koji Takahashi   Jumpei Yamada   Ai Mizuno   Ichirou Nomura   Rie Togashi   Katsumi Kishino   
The International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-20) 2023年8月4日
Hiromi Akagawa   Jumpei Yamada   Tomohiro Yamaguchi   Rie Togashi   Takeyoshi Onuma   Ichirou Nomura   Tohru Honda   Katsumi Kishino   
The International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-20) 2023年7月31日
山田純平   水野愛   赤川広海   吉村賢哉   高橋昂司   富樫理恵   野村一郎   山口智広   本田徹   岸野克巳   
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月17日
水野愛   本田達也   山田純平   富樫理恵   野村一郎   岸野克巳   
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月15日
赤川広海   山田純平   山口智広   冨樫理恵   尾沼猛儀   野村一郎   本田徹   岸野克巳   
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月15日
共同研究・競争的資金等の研究課題
ナノ結晶効果によるエネルギー・環境適合デバイスの革新 日本学術振興会: 科学研究費助成事業 特別推進研究岸野 克巳 大槻 東巳 関口 寛人 光野 徹也 江馬 一弘 菊池 昭彦 中岡 俊裕 野村 一郎 関根 智幸 音 賢一 
研究期間: 2012年 - 2016年
その他
First synthesis of wide-gap BeZnTe (~3eV) II-VI compounds on InP substrates with the high p-capability in mid 1018 cm-3
1995
Novel II-VI light emitting diodes fabricated on InP substrates applying wide-gap and high p-dopable BeZnTe for p-cladding layers
2000
Application of wide-gap and high-p-dopable BeZnTe II-VI compounds on InP substrates for visible light emitting diodes as p-cladding layers
2000
First MBE growth of BeZnCdSe quaternaries and MgSe/BeZnCdSe superlattices on InP substrates
2000
Novel ZnCdSe/BeZnTe type-II superlattice structure grown on InP substrates by MBE
2000