星野 正光

<p>本研究では、前回に引き続き、電子衝撃によるXF_4_(X = C, Si, Ge)分子のエネルギー損失スペクトルの測定結果について、より詳細に報告する。前回は、励起積分断面積について報告したが、今回は量子化学計算を用いて本測定結果の励起状態の帰属を行った。特に、GeF_4_については、過去に報告された状態の帰属と比較し、過去の研究例の問題点について考察する。</p>

<p>本研究では低エネルギー電子衝撃によるPF_3_分子の弾性散乱断面積の定量測定を行ったので報告する。測定条件は交差ビーム法により入射電子のエネルギー2.0 - 200 eV、散乱角10 – 150°、エネルギー分解能約50 meVの条件で行われた。弾性散乱の微分断面積(DCS）を理論計算で外挿することにより積分断面積(ICS)を導出した。さらに、PF_3_分子と同じ周囲にフッ素原子を3個持ったXF_3_ (X= B, N, CH)分子の弾性散乱断面積との比較も行った。</p>

<p>本研究では、電子衝撃によるNO分子の入射エネルギー30-200 eV、散乱角2.2-20度の電子エネルギー損失スペクトルを測定した。得られたスペクトル強度からRelative Flow法によって各励起状態の微分断面積(DCS)を決定した。またDCSを外挿することで、積分断面積(ICS)導出し、BEf-scalingから得られたICSとの比較を行ったので報告する。</p>

Absolute total cross sections for electron scattering from He, Ne, Ar, Kr and Xe at very low electron energies were obtained using the threshold photoelectron source, which employs a combination of the penetrating field technique together with the threshold photoionization of atoms by synchrotron radiation. The total cross sections generally agree well with those obtained in the previous experiments above 100 meV, where several experimental works have been reported. Comparison of the measured cross section for He with that of theoretical ones shows very good agreement at very low energies even below 10 meV. Scattering lengths for the e− - noble gas scatterings determined from the our cross sections using the modified effective range theory (MERT) showed that scattering lengths for He and Ne agree well with the values obtained in the previous experimental and theoretical studies. On the other hand, for heavier noble gas atoms, significant discrepancies were found between the scattering lengths derived from MERT analysis to our total cross sections and those reported in previous studies.