研究者業績
基本情報
- 所属
- 上智大学 理工学部機能創造理工学科 教授
- 学位
- 工学士(上智大学)工学修士(上智大学)博士(工学)(上智大学)
- 通称等の別名
- 野村 一郎
- 研究者番号
- 00266074
- J-GLOBAL ID
- 200901053354827454
- researchmap会員ID
- 5000041413
1988年-1994年 AlGaInP赤色半導体レーザの研究
1994年-現在 InP基板上Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体材料の開拓とデバイス応用
教育活動について
過去に担当した講義科目
「旧電気・電子工学科」
応用数学Ⅰ、基礎科目演習Ⅱ、電気工学実験Ⅲ、電気工学実験Ⅳ
「学部」
電気・電子回路の基礎、半導体物性、電気電子情報産業概論、電気電子工学実験Ⅲ、情報リテラシー演習(応用)、統計解析法演習、情報リテラシー演習(機能創造理工学科指定)、科学技術英語
「大学院」
ADVANCED ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING 2、研究指導演習
現在担当している講義科目
「学部」
半導体物理の基礎、電子量子力学、電子物性工学、理工学総論、電気電子工学実験Ⅰ、電気電子工学実験Ⅱ、GREEN ENGINEERING LAB. 3、機能創造理工学科ゼミナール、情報リテラシー(統計処理)、卒業研究
「大学院」
量子物性工学、電気・電子工学ゼミナール、大学院演習、研究指導
研究活動について
これまで、Ⅲ-Ⅴ及びⅡ-Ⅵ族化合物半導体の開拓、またデバイスへの応用に向けた研究を行っている。
(研究テーマ)
化合物半導体による新機能光デバイスの開発
(共同・受託研究希望テーマ)
フルカラー発光デバイス光源の開発
研究キーワード
7受賞
1-
1995年
論文
62-
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 159(1-4) 11-15 1996年2月
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SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 1995 142 1011-1014 1996年
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IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS 1(2) 173-182 1995年6月
-
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1994 (141) 507-512 1995年
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JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 33(1B) 804-810 1994年1月
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THIN SOLID FILMS 231(1-2) 173-189 1993年8月
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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 74(2) 819-824 1993年7月
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ELECTRONICS LETTERS 28(9) 851-853 1992年4月
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ENHANCED CARRIER CONFINEMENT EFFECT BY THE MULTIQUANTUM BARRIER IN 660 NM GAINP/ALINP VISIBLE LASERSAPPLIED PHYSICS LETTERS 58(17) 1822-1824 1991年4月
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EPITAXIAL CRYSTAL GROWTH, PTS 1 AND 2 31-4(34) B485-B491 1991年
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ELECTRONICS LETTERS 26(20) 1668-1670 1990年9月
-
ELECTRONICS LETTERS 26(10) 657-658 1990年5月
MISC
13-
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(338) 117-120 2014年11月27日紫外から赤外に亘るバンドギャップエンジニアリングが可能な窒化物は魅力的な材料である.しかしながら,含有欠陥の多さからその特長が制限されている.本研究では欠陥低減を特長とする窒化物ナノコラムを,大面積/低コスト化が望めるSiウェハへ作製した. Siウェハでは窒化物成長が困難であるため,スパッタ成膜したAlNを核形成層として用いた. TEM評価と,市販GaN基板に対して5.6倍強いPL発光強度を示したことより,無数の転位を含んだスパッタ膜上であってもナノコラム成長法によって高い結晶性の単結晶作製に成功した.このナノコラムにInGaN多重量子井戸を発光層として搭載し,可視域の広い範囲に渡る単峰性のPLスペクトルを得るとともに,パターニングによりPLピーク波長が制御できることを示した.
-
電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 108(351) 53-58 2008年12月5日InP基板上のMgZnCdSe、BeZnTe、BeZnSeTe II-VI族半導体は可視光中域、特に緑色発光素子材料として有望である。我々はこれら材料の開拓を進め、活性層にBeZnSeTe、nクラッド層にMgSe/ZnCdSe超格子、pクラッド層にMgSe/BeZnTe超格子を用いた発光素子の開発を行ってきた。その結果、5000時間以上の素子寿命を達成し、II-VI族素子としては大幅な改善を得た。一方、BeZnSeTeを活性層とするダブルヘテロ構造では室温において緑色光励起発振に成功し、BeZnSeTeが緑色レーザの活性層材料として高い性能を有していることを示した。
-
電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 103(527) 45-48 2003年12月12日InP基板に格子整合するMgZnCdSe、BeZnTeII-VI族材料及びこれらを組み合わせた超格子材料を開拓し、広い可視光域で発光する半導体レーザ(LD)及び発光ダイオード(LED)に応用した。ZnCdSe/BeZnTe超格子を活性層、MgSe/BeZnTe超格子をpクラッド層、MgSe/ZnCdSe超格子をnクラッド層としたLEDを作製し、ピーク波長554nm(黄緑色)から644nm(赤色)の発光を得た。また、3500時間以上の長寿命動作を達成し、この素子の高い信頼性を示した。さらに活性層にZnCdSeを用いたLDを作製し、77Kにおいて中心波長560nmの黄緑色レーザ発振に初めて成功した。
-
Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 1998 354-355 1998年9月7日
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Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 1997 216-217 1997年9月16日
書籍等出版物
2-
Springer 2007年 (ISBN: 9783540472346)
講演・口頭発表等
271-
12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024) 2024年11月5日
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The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月16日
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The 22th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-22) 2023年10月20日
所属学協会
1共同研究・競争的資金等の研究課題
20-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 2023年4月 - 2027年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(A) 2019年4月 - 2022年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 2018年4月 - 2021年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 2014年4月 - 2017年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 特別推進研究 2012年 - 2016年
その他
173-
2006年4月講義科目と演習科目をリンクさせ、講義で学習した内容についてなるべく速やかに演習を行い、理解を深められるようにしている。また、演習を持ち込み不可の試験形式で行うことで演習を受ける前の講義の復習を促し、習熟度が増すようにしている。一方、講義科目では演習に加え中間及び期末試験を実施し、これにより学習到達度を評価している。
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1994年4月毎年8月にグループ内の研究会を開催し、それまでの研究成果のまとめや今後の方針について議論する。これにより研究の進め方や成果の取り纏め、報告の仕方等の指導を行っている。