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理工学部

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野村 一郎

 
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研究者氏名野村 一郎
 
ノムラ イチロウ
通称等の別名野村 一郎
所属上智大学
部署理工学部機能創造理工学科
職名教授
学位工学士(上智大学), 工学修士(上智大学), 博士(工学)(上智大学)
科研費研究者番号00266074
J-Global ID200901053354827454

プロフィール

1988年-1994年 AlGaInP赤色半導体レーザの研究
1994年-現在 InP基板上Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体材料の開拓とデバイス応用教育活動について
過去に担当した講義科目
「旧電気・電子工学科」
応用数学Ⅰ、基礎科目演習Ⅱ、電気工学実験Ⅲ、電気工学実験Ⅳ
「学部」
電気・電子回路の基礎、半導体物性、電気電子情報産業概論、電気電子工学実験Ⅲ、情報リテラシー演習(応用)、統計解析法演習、情報リテラシー演習(機能創造理工学科指定)、科学技術英語
「大学院」
ADVANCED ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING 2、研究指導演習
現在担当している講義科目
「学部」
半導体物理の基礎、電子量子力学、電子物性工学、理工学総論、電気電子工学実験Ⅰ、電気電子工学実験Ⅱ、GREEN ENGINEERING LAB. 3、機能創造理工学科ゼミナール、情報リテラシー(統計処理)、卒業研究
「大学院」
量子物性工学、電気・電子工学ゼミナール、大学院演習、研究指導
研究活動について
これまで、Ⅲ-Ⅴ及びⅡ-Ⅵ族化合物半導体の開拓、またデバイスへの応用に向けた研究を行っている。(研究テーマ)
化合物半導体による新機能光デバイスの開発(共同・受託研究希望テーマ)
フルカラー発光デバイス光源の開発

研究キーワード

 
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 ,分子線エピタキシー ,発光ダイオード ,半導体レーザ ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体 ,エピタキシャル成長 ,光デバイス

研究分野

 
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器 / 
  • ナノテク・材料 / 光工学、光量子科学 / 
  • ナノテク・材料 / 応用物性 / 

受賞

 
1995年
井上研究奨励賞
 

論文

 
 
Kenta Ishii   Ryosuke Amagasu   Ichirou Nomura   
Journal of Crystal Growth   512 96-99   2019年2月   [査読有り]
 
Yudai Momose   Ichirou Nomura   
Journal of Electronic Materials   47(8) 1-4   2018年5月   [査読有り]
Conduction band discontinuity (ΔEc) of MgSe/ZnCdSe heterojunctions were evaluated using n–i–n diodes consisting of an undoped i-MgSe layer sandwiched by n-doped ZnCdSe layers. The n–i–n diodes were fabricated on InP substrates by molecular beam ep...
 
Koji Fukushima   Tomohiro Shiraishi   Ryohei Kobayashi   Katsumi Kishino   Ichirou Nomura   
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 13 NO 7-9   13(7-9) 665-668   2016年   [査読有り]
The application of indium tin oxide (ITO) as the p-cladding layer of II-VI compound semiconductor laser diodes (LDs) on InP substrates was investigated. The waveguide analysis of the LD structures revealed that the optical confinement effect aroun...
 
Ryohei Kobayashi   Shingo Takamatsu   Koji Fukushima   Katsumi Kishino   Ichirou Nomura   
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 13 NO 7-9   13(7-9) 669-672   2016年   [査読有り]
II-VI-compound-semiconductor laser diode (LD) structures on InP substrates were investigated using device simulations and waveguide analysis. Our simulations showed that electron injection from the n-cladding into the active layer is hindered by t...
 
Shingo Takamatsu   Ichirou Nomura   Tomohiro Shiraishi   Katsumi Kishino   
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   425 199-202   2015年9月   [査読有り]
N-doped p-type ZnTe and ZnSeTe contact layers were investigated to evaluate which is more suitable for use in II-VI compound semiconductor optical devices on InP substrates. Contact resistances (R-c) between the contact layers and several electrod...

MISC

 
 
野間 友博   林 宏暁   福島 大史   今野 裕太   野村 一郎   岸野 克巳   
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114(338) 117-120   2014年11月
紫外から赤外に亘るバンドギャップエンジニアリングが可能な窒化物は魅力的な材料である.しかしながら,含有欠陥の多さからその特長が制限されている.本研究では欠陥低減を特長とする窒化物ナノコラムを,大面積/低コスト化が望めるSiウェハへ作製した. Siウェハでは窒化物成長が困難であるため,スパッタ成膜したAlNを核形成層として用いた. TEM評価と,市販GaN基板に対して5.6倍強いPL発光強度を示したことより,無数の転位を含んだスパッタ膜上であってもナノコラム成長法によって高い結晶性の単結晶作...
 
野村 一郎   岸野 克巳   蛯沢 智也   櫛田 俊   田才 邦彦   中村 均   朝妻 庸紀   中島 博   
電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   108(351) 53-58   2008年12月
InP基板上のMgZnCdSe、BeZnTe、BeZnSeTe II-VI族半導体は可視光中域、特に緑色発光素子材料として有望である。我々はこれら材料の開拓を進め、活性層にBeZnSeTe、nクラッド層にMgSe/ZnCdSe超格子、pクラッド層にMgSe/BeZnTe超格子を用いた発光素子の開発を行ってきた。その結果、5000時間以上の素子寿命を達成し、II-VI族素子としては大幅な改善を得た。一方、BeZnSeTeを活性層とするダブルヘテロ構造では室温において緑色光励起発振に成功し、B...
 
岸野 克巳   野村 一郎   
電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   103(527) 45-48   2003年12月
InP基板に格子整合するMgZnCdSe、BeZnTeII-VI族材料及びこれらを組み合わせた超格子材料を開拓し、広い可視光域で発光する半導体レーザ(LD)及び発光ダイオード(LED)に応用した。ZnCdSe/BeZnTe超格子を活性層、MgSe/BeZnTe超格子をpクラッド層、MgSe/ZnCdSe超格子をnクラッド層としたLEDを作製し、ピーク波長554nm(黄緑色)から644nm(赤色)の発光を得た。また、3500時間以上の長寿命動作を達成し、この素子の高い信頼性を示した。さらに活...
 
HATTORI Hiroshi   NOMURA Ichirou   SHINBO Hiroyuki   NAGANO Takeshi   HARAGUCHI Masaru   MORITA Toshihiro   KIKUCHI Akihiko   KISHINO Katsumi   
Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials   1997 216-217   1997年9月
 
原口 勝   新井 将之   森田 敏弘   服部 洋   永野 剛之   野村 一郎   菊池 昭彦   下村 和彦   岸野 克巳   
電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   96(399) 61-66   1996年12月
本研究ではInP基板上に格子整合するII-VI族MgZnCdSe系混晶を用いた光変調器の作製を目指している.今回,InP基板に格子整合するZnCdSe/MgZnCdSe多重量子井戸を分子線エピタキシー法により成長し,その量子閉じ込めシュタルク効果(QCSE)を評価したので報告する.この量子井戸構造に電界を印加した時の反射スペクトルを測定したところ,1.87x10^5V/cmの電界印加時に-6.3%の反射率変化が観測された.この値は-3.4%の屈折率変化に相当し,エキシトン効果に起因するもの...

書籍等出版物

 
 
野村 一郎(担当:共著, 範囲:120-123)
Springer   2007年   (ISBN:9783540472346)   
 
野村 一郎
森北出版   2006年3月31日   (ISBN:9784627773219)   

講演・口頭発表等

 
 
髙橋昂司   滝本啓司   吉村賢哉   山田純平   本田達也   冨樫理恵   野村一郎   岸野克巳   
第82回応用物理学会秋季学術講演会   2021年9月13日   
 
吉村賢哉   高橋昂司   滝本啓司   本田達也   山田純平   富樫理恵   野村一郎   岸野克巳   
第82回応用物理学会秋季学術講演会   2021年9月13日   
 
山田純平   本田達也   水野愛   富樫理恵   野村一郎   山口智広   本田徹   岸野克巳   
第82回応用物理学会秋季学術講演会   2021年9月13日   
 
上野彰大   今村暁   山田純平   本田達也   大音隆男   山口智広   冨樫理恵   野村一郎   本田徹   岸野克巳   
第82回応用物理学会秋季学術講演会   2021年9月12日   
 
山田純平   本田達也   吉田圭吾   富樫理恵   野村一郎   山口智広   本田徹   岸野克巳   
第68回応用物理学会春季学術講演会   2021年3月18日   

所属学協会

 
 
   
 
応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

 
 
ナノコラム結晶による三原色集積型発光デバイスの革新
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(A)
岸野 克巳 野村 一郎 大音 隆男 富樫 理恵 山口 智広 
研究期間: 2019年4月 - 2022年3月
 
InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体によるサブバンド間遷移光デバイスの新展開
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
野村 一郎 
研究期間: 2018年4月 - 2021年3月
 
タイプⅡヘテロ新材料の開拓とデバイス応用に向けた研究
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
野村 一郎 
研究期間: 2014年4月 - 2017年3月
 
ナノ結晶効果によるエネルギー・環境適合デバイスの革新
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 特別推進研究
岸野 克巳 大槻 東巳 関口 寛人 光野 徹也 江馬 一弘 菊池 昭彦 中岡 俊裕 野村 一郎 関根 智幸 音 賢一 
研究期間: 2012年 - 2016年
 
高性能緑色域半導体レーザに向けた新ヘテロ材料の開拓
日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
野村 一郎 
研究期間: 2010年 - 2012年

その他

 
 
講義科目と演習科目をリンクさせ、講義で学習した内容についてなるべく速やかに演習を行い、理解を深められるようにしている。また、演習を持ち込み不可の試験形式で行うことで演習を受ける前の講義の復習を促し、習熟度が増すようにしている。一方、講義科目では演習に加え中間及び期末試験を実施し、これにより学習到達度を評価している。
 
 
情報関連の講義では、資料の配布やレポート提出を学内のPCやネット上で行うなど情報機器を有効利用し、授業運営の効率化を図っている。
 
 
講義中では、各項目毎に質問を受け付けたり、簡単な例題を解いて内容をより理解できるように努めている。
 
 
研究によって得たれた結果や成果等は速やかにメールで関係者に配布し、またデータベースに保存することで情報の共有化を図るように指導している。
 
 
毎年8月にグループ内の研究会を開催し、それまでの研究成果のまとめや今後の方針について議論する。これにより研究の進め方や成果の取り纏め、報告の仕方等の指導を行っている。