研究者業績
基本情報
- 所属
- 上智大学 理工学部機能創造理工学科 教授(兼任)理工学研究科理工学専攻主任
- 学位
- 工学博士(東京工業大学)
- 研究者番号
- 90222041
- J-GLOBAL ID
- 200901062540285806
- researchmap会員ID
- 1000073283
- 外部リンク
1991年 東京工業大学・工学部・助手
半導体光スイッチ・変調器に関する研究
1992年 上智大学・理工学部・電気電子工学科専任講師
1995年 上智大学・理工学部・電気電子工学科助教授
光インターコネクションに関する研究
光制御FETに関する研究
有機金属気相成長法による長波長系材料の成長に関する研究
2000年10月-2001年9月 ベル研究所（米国ルーセントテクノロジー）Member of Technical Staff
モード同期レーザに関する研究
2002年 上智大学・理工学部・電気電子工学科教授
光通信用デバイスに関する研究
教育活動においては、学部生を対象に、「電磁波伝搬の基礎」、「光電磁波伝送工学」の講義を行っている。「電磁波伝搬の基礎」ではMaxwellの方程式より導かれる電磁波について、平面波、反射、透過、放射などの基礎的現象、そして「光電磁波伝送工学」では、その応用として導波管、誘電体導波路を例として伝送路を用いた電磁波の伝送に関する講義を行っている。大学院では、「光導波工学」において、光通信システムにおいて必要な、光導波論、半導体材料として重要な量子構造に関する講義を行っている。
研究活動においては、光通信用デバイスに関する研究を行っている。光インターコネクション技術に関して、直接貼付InP薄膜/シリコン基板を用いたシリコンプラットフォームへの光デバイス集積化について研究を行っている。また波長多重通信のための波長分波器、光交換用の光スイッチ、光変調器、光偏向器、波長スイッチの研究、またこれらのデバイスの元となる量子ドット構造に関する研究を行っている。
(研究テーマ)
光スイッチに関する研究
有機金属気相成長に関する研究
波長分割光スイッチに関する研究
全光スイッチに関する研究
量子ドットに関する研究
光インターコネクションに関する研究
電子デバイスに関する研究
(共同・受託研究希望テーマ)
光デバイスに関する研究
有機金属気相成長装置による結晶成長
研究キーワード
13経歴
1-
1991年4月 - 1992年3月
論文
241-
2nd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2015) (O6.6) 2015年7月1日 査読有り
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JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(3) 2015年3月 査読有り
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JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(3) 030208-1-030208-5 2015年3月 査読有り
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JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 414 161-166 2015年3月 査読有り
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2015 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO) (SF2G.5) 1-2 2015年 査読有り
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JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(11) 2014年11月 査読有り
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Japanese Journal of Applied Physics 53(11) 116502 2014年11月1日 査読有り
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17th International Conference on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (ICMOVPE XVII) (Wed-Oral-3-6) 2014年7月16日 査読有り
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17th International Conference on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (ICMOVPE XVII) (Wed-Poster-2-32) 2014年7月16日 査読有り
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41st International Symposium on Compound Semiconductors (Tu-D1-3) 2014年5月13日 査読有り
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41st International Symposium on Compound Semiconductors (P60) 2014年5月12日 査読有り
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2014 4TH IEEE INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D) 21-21 2014年 査読有り
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SENSORS, 2013 IEEE 1-4 2013年12月1日 査読有り
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Physica status solidi (c) 10(11) 1357-1360 2013年11月 査読有り
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Physica status solidi (c) 10(11) 1438-1441 2013年11月 査読有り
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40th International Symposium on Compound Semiconductors TuC1-6 2013年5月21日
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Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 10(5) 782-785 2013年5月
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Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 10(5) 761-764 2013年5月
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PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 11 10(11) 1438-1441 2013年 査読有り
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PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 5 10(5) 782-785 2013年 査読有り
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Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials MoD4-2 2013年
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2013 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM) MoPI-5 2013年
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PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 11 10(11) 1357-1360 2013年
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APPLIED PHYSICS EXPRESS 5(9) 092103-1-092103-3 2012年9月
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39th International Symposium on Compound Semiconductors Mo-1A.3 2012年8月
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39th International Symposium on Compound Semiconductors Mo-P.13 2012年8月
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IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E95C(7) 1258-1264 2012年7月
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IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E95C(7) 1265-1271 2012年7月
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電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 112(43) 29-34 2012年5月18日我々はMOVPE選択成長InAs量子ドットを用いたアレイ型広帯域LEDの作製を行っている.ダブルキャップ法を用いた量子ドットの高さ制御とバッファ層組成制御によって,層ごとに量子ドット準位を変えることで発光波長の広帯域化を行っている.今回,量子ドット高さ,バッファ層組成を変更した数パターンの3層LEDについてスペクトル解析を行ったので報告する.
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16th International Conferenece on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI) MoB2-4 2012年5月
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16th International Conferenece on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI) WeP049 2012年5月
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Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 9(2) 210-213 2012年2月
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PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 2 9(2) 210-213 2012年
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16th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2011) 493-494 2011年7月
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16th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2011) 705-706 2011年7月
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16th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2011) 707-708 2011年7月
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23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2011) P19 2011年5月
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電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 111(16) 5-10 2011年4月我々はGaInAs/InP MQWコア構造を用いたアレイ導波路型波長スイッチの研究を行っている.アレイ導波路はMOVPE選択成長法を用いてMQW層厚を徐々に変化させ,各導波路において屈折率分布を有する構造となっている.これまでにも,大きな屈折率変化が期待できる熱光学効果による波長スイッチを作製し,スイッチング特性を示した.今回,Ti/Auヒータを三角形状に作製し,消費電力の低減と4波長でのポート間スイッチング動作を達成したので報告する.
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JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 318(1) 1109-1112 2011年3月
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The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16) HJ1 2010年8月
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電子情報通信学会技術研究報告, OPE, 光エレクトロニクス 110(7) 1-6 2010年4月我々はGaInAs/InP MQW構造を用いたアレイ導波路型波長選択スイッチの研究を行っている.アレイ導波路は,MOVPE選択成長法において非対称SiO_2マスクパターンを用いることによりMQW層厚を徐々に変化させることで,それぞれのアレイ導波路に異なる屈折率を与えており,その分布は階段状となっている.この構造により,アレイ導波路を伝搬する光はそれぞれ異なる位相で出射して,スラブ導波路にて干渉し波面の揃う方向に回折する.また,回折角は波長に依存するので,波長の異なる光の集光する位置はそれぞれ異なり,異なる波長信号を別々のポートに取り出すことが可能となる.すなわち,これにより直線型アレイ導波路構造の波長分波器が実現できる.今回,Fortranを用いたシミュレーションにより,ローランド円構造に基づいたスラブ導波路における光の回折を考慮した波長分波特性,及びスイッチング特性の数値解析を行ったので報告する。
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2010 22ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM) 1-4 2010年
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2010 22ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM) 1-4 2010年
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2010 15TH OPTOELECTRONICS AND COMMUNICATIONS CONFERENCE (OECC) 384-385 2010年
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2010 15TH OPTOELECTRONICS AND COMMUNICATIONS CONFERENCE (OECC) 548-549 2010年
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電子情報通信学会技術研究報告, OPE, 光エレクトロニクス 109(175) 63-68 2009年8月キャリアを0次元に閉じ込める構造を持つ量子ドットは独特な特性を持つとされている.そして量子ドットはレーザやLEDのような様々な半導体光デバイスの性能を向上すると考えられている.量子井戸構造をでは高さ方向の一次元でのみエネルギー準位を制御可能であるが,一方で量子ドットでは三次元的な制御が可能であり,より広い範囲の波長制御が可能である.このことから広帯域な波長を放出する光源は1.55μm通信波長帯域を含む波長分割多重(WDM)や2.0μm付近の環境ガスセンサ,光干渉断層計などで応用可能である.今回の研究では,MOVPE選択成長法とダブルキャップ法による量子ドットアレイ構造を用いた400nmを超える量子ドットLEDの広帯域なEL発光特性を示す.
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電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 109(92) 19-23 2009年6月我々はGaInAs/InP MQW構造を用いたアレイ導波路型波長選択スイッチの研究を行っている.アレイ導波路は,MOVPE選択成長法において非対称SiO_2マスクパターンを用いることによりMQW層厚を徐々に変化させることで,それぞれのアレイ導波路に異なる屈折率を与えており,その分布は階段状となっている.この構造により,アレイ導波路を伝搬する光はそれぞれ異なる位相で出射して,スラブ導波路にて干渉し波面の揃う方向に回折する.また,回折角は波長に依存するので,波長の異なる光の集光する位置はそれぞれ異なり,異なる波長信号を別々のポートに取り出すことが可能となる.すなわち,これにより直線型アレイ導波路構造の波長分波器が実現できる.今回,BPMを用いたシミュレーションによりスラブ導波路構造を改善し,波長依存性の少ないプラズマ効果による波長選択スイッチを作製し,出射ポートの強度変化を観測できたので報告する.
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電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 109(8) 29-34 2009年4月我々はGaInAs/InP MQW構造を用いたアレイ導波路型波長選択スイッチの研究を行っている.アレイ導波路は,MOVPE選択成長法において非対称SiO_2マスクパターンを用いることによりMQW層厚を徐々に変化させ,導波路の屈折率が階段状に変化した構造となっており,これにより直線型アレイ導波路構造の波長分波器が実現できる.今回,大きな屈折率変化を期待することができる熱光学効果を用いて,GaInAs/InP MQW屈折率分布アレイ導波路型波長選択スイッチを作製し,4波長の波長分波特性および波長選択スイッチング特性が得られたので報告する.
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2009 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS AND QUANTUM ELECTRONICS AND LASER SCIENCE CONFERENCE (CLEO/QELS 2009), VOLS 1-5 2859-2860 2009年
MISC
14-
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(103) 15-20 2016年6月17日
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電子情報通信学会総合大会講演論文集 2016(2) 70-70 2016年3月1日
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映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report 39(12) 15-20 2015年3月有機金属気相成長法によるInAs量子ドットの発光波長制御に関して検討を行った。SiO2マスクを用いた選択成長によりアレイ導波路ごとの発光波長御、ダブルキャップ法による量子ドット高さの制御、さらにInAsの下地層であるGaInAsバッファ層の組成制御により量子ドットの発光波長を広帯域で変える成長条件を検討した。そしてこれらの構造を用いたLEDを作製し、600nmを超える発光半値幅とフラットトップスペクトルを得た。
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電子情報通信学会総合大会講演論文集 2015(2) 61-61 2015年2月24日
書籍等出版物
4-
株式会社 情報機構 2017年6月27日 (ISBN: 9784865021349)
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エヌ・ティー・エス 2011年3月25日 (ISBN: 9784860433765)
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Institute of Pure and Applied Physics 2005年2月 (ISBN: 4900526193)
講演・口頭発表等
321-
International Conference on Recent Trends in Materials Science & Devices 2025 (ICRTMD-2025) 2025年3月25日
共同研究・競争的資金等の研究課題
31-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 2021年4月 - 2024年3月
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上智大学 重点領域研究 2018年4月 - 2022年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B) 2018年4月 - 2021年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 2015年4月 - 2018年3月
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カシオ科学振興財団 2016年4月 - 2018年3月
産業財産権
6社会貢献活動
16その他
5-
1992年4月電磁気学Ⅲ、光電磁波伝送工学の講義においては、講義内容に関連する小テストをほぼ毎回実施している。ノートの参照を許し、また答案を回収後すぐに解答を示している。これにより学生の講義に対する理解を補助していると考えている。
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1992年4月研究室の輪講会において、学生たちにレポート・論文の書き方を指導することに力を入れている。レポートを書くための文献・資料をどうやって集めるか、集めた文献・資料をどのように読みこなしていくか、自分が書こうとするレポート・論文で展開する議論をどのような構成にしていくか、文献・資料をどのように利用するか、レポート・論文の書式はどのようでなければならないか、といった点を中心に指導している。
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1992年4月毎週行われている研究室の研究発表会において、学生たちにプレゼンテーションの仕方を指導することに力を入れている。わかりやすいプレゼンテーションをするためのパワーポイントの作り方、よりわかりやすい発表の仕方等について指導を行っている。
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1992年4月研究室の卒業研究生、および大学院生には、研究データ・資料のデジタル化を行うことを義務付けている。また過去の卒業論文、修士論文、博士論文、また投稿論文、国際会議、国内学会発表論文、資料等、すべていつでも参照できる環境を整えている。さらに研究に関連することは同報メールで随時情報を送っている。
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1992年4月本学に赴任以来、Research Reviewを3号発行した。これは、研究室所属者の雑誌投稿論文、国際会議、研究会、国内学会等の予稿をまとめたものであり、卒研生、大学院生の知的向上と成果公表をめざしたものである。