研究者業績

内田 寛

ウチダ ヒロシ  (Uchida Hiroshi)

基本情報

所属
上智大学 理工学部物質生命理工学科 教授
学位
修士(工学)(1997年3月 上智大学)
博士(工学)(2001年1月 東京工業大学)

連絡先
uchidahsophia.ac.jp
研究者番号
60327880
J-GLOBAL ID
200901055907958881
researchmap会員ID
1000367338

上智大学 理工学部物質生命理工学科 無機工業化学グループ

(上智大学大学院 理工学研究科理工学専攻 応用化学領域)

 

主要な研究テーマ:

  • 溶液プロセスを主体とした無機マイクロ・ナノ材料製造技術の研究開発(低温合成・組成制御・三次元加工・化学溶液堆積・水熱合成・超臨界流体)
  • エレクトロニクス&エネルギーデバイス用新規化合物の探索(誘電体・圧電体・半導体/高性能材料・環境調和型材料)

 

近年の活動内容:

  • 溶液プロセスによる高性能な強誘電体/圧電体薄膜の製造技術開発
  • 環境親和型強誘電体/圧電体薄膜材料の探索
  • 水熱合成プロセスによる無機材料薄膜の創製
  • 超臨界流体を用いた無機材料合成プロセスの開発


論文

 204
  • H Uchida, K Itatani, M Aizawa, FS Howell, A Kishioka
    ADVANCED POWDER TECHNOLOGY 10(2) 133-143 1999年  査読有り
    Magnesium silicon nitride (MgSiN2) powder was prepared by carbothermally reducing a magnesium metasilicate whose chemical composition corresponded to MgO . SiO2 or MgSiO3. About 0.2 g of the powder mixture of magnesium metasilicate and carbon (C) with the molar ratio of C to MgO . SiO2 equal to 6.0 was heated at 1250 degrees C for 7 h in nitrogen atmosphere. The crystalline phase of the carbothermally reduced powder was only MgSiN2. The residual carbon could be removed by heating the powder at 600 degrees C for 1 h in air. The yield of MgSiN2 powder was similar to 70%. The resulting powder contained 3.22 mol% oxygen. The primary particle sizes were ranging from 0.1 to 0.5 mu m.
  • Davis Ian J, 内田寛, 相澤守, 板谷清司
    無機マテリアル 6(278) 40-47 1999年1月  査読有り
  • Wu, T.-J., Uchida, H., Sakurai, O., Wakiya, N., Funakubo, H., Shinozaki, K., Mizutani, N.
    Key Engineering Materials 169 123-126 1999年  査読有り
  • 内田寛, 板谷清司, 相澤守, Scott HOWELL F, 岸岡昭
    日本セラミックス協会学術論文誌 105(1227) 934-939 1997年11月  査読有り
    Magnesium silicon nitride (MgSiN_2) was synthesized by the nitridation of powders in the magnesium (Mg) -silicon (Si) system. Although an Mg and Si powder with an Mg/Si ratio of 1.0 ( = stoichiometric ratio of MgSiN_2) was heated up to 1400℃ in nitrogen (N_2) , a single phase of MgSiN_2 could not be obtained, due to evaporation of Mg during heating. On the basis of the information that Mg_2Si formed as an intermediate phase during the synthesis of MgSiN_2, an Mg_2Si powder was heated at a temperature between 600 and 1600℃ for 1h in N_2. Although MgSiN_2 and other phases such as Si and amorphous Mg_3N_2 were present in the temperature range of 900℃ to 1300℃, the powder heated at 1400℃ consisted of only MgSiN_2 phase. The chemical composition of the powder heated at 1400℃ for 1h was almost stoichiometric; the content of the oxygen was as low as 0.76 mol%. The powder consisted of agglomerates with sizes of 〜5μm; these agglomerates were furthermore composed of primary particles with an average size of 0.54 μm. The oxidation resistant temperature of MgSiN_2 was estimated to be 〜830℃. The MgSiN_2 powder had good resistivity to hydration.

MISC

 54

書籍等出版物

 5
  • 大倉利典, 小嶋, 芳行, 相澤, 守, 内田, 寛, 柴田, 裕史 (担当:共著)
    培風館 2023年6月7日 (ISBN: 4563046418)
  • (担当:分担執筆, 範囲:p.94-99, 「水熱合成技術を利用した非鉛系ペロブスカイト型酸化物エピタキシャル構造体の高速製造プロセス」)
    2020年12月10日
  • 内田 寛 (担当:分担執筆, 範囲:p.389-399, 第10章第4節「ペロブスカイト型強誘電体・圧電体薄膜の結晶配向性制御による分極特性の改善」)
    情報通信協会 2020年8月31日
  • 内田 寛 (担当:分担執筆, 範囲:p.389-399 「化学的薄膜堆積 . 超臨界流体を用いたエッチング加工」)
    コロナ社 2012年9月6日 (ISBN: 9784339008371)
  • (担当:分担執筆, 範囲:p.116-119, 「エピタキシャル薄膜における応力解析技術」)
    2001年9月20日

講演・口頭発表等

 92

共同研究・競争的資金等の研究課題

 20

産業財産権

 8