研究者業績

下村 和彦

シモムラ カズヒコ  (Shimomura Kazuhiko)

基本情報

所属
上智大学 理工学部機能創造理工学科 教授
(兼任)理工学研究科理工学専攻主任
学位
工学博士(東京工業大学)

研究者番号
90222041
J-GLOBAL ID
200901062540285806
researchmap会員ID
1000073283

外部リンク

1991年 東京工業大学・工学部・助手
半導体光スイッチ・変調器に関する研究
1992年 上智大学・理工学部・電気電子工学科専任講師
1995年 上智大学・理工学部・電気電子工学科助教授
光インターコネクションに関する研究
光制御FETに関する研究
有機金属気相成長法による長波長系材料の成長に関する研究
2000年10月-2001年9月 ベル研究所(米国ルーセントテクノロジー)Member of Technical Staff
モード同期レーザに関する研究
2002年 上智大学・理工学部・電気電子工学科教授
光通信用デバイスに関する研究

教育活動においては、学部生を対象に、「電磁波伝搬の基礎」、「光電磁波伝送工学」の講義を行っている。「電磁波伝搬の基礎」ではMaxwellの方程式より導かれる電磁波について、平面波、反射、透過、放射などの基礎的現象、そして「光電磁波伝送工学」では、その応用として導波管、誘電体導波路を例として伝送路を用いた電磁波の伝送に関する講義を行っている。大学院では、「光導波工学」において、光通信システムにおいて必要な、光導波論、半導体材料として重要な量子構造に関する講義を行っている。
研究活動においては、光通信用デバイスに関する研究を行っている。光インターコネクション技術に関して、直接貼付InP薄膜/シリコン基板を用いたシリコンプラットフォームへの光デバイス集積化について研究を行っている。また波長多重通信のための波長分波器、光交換用の光スイッチ、光変調器、光偏向器、波長スイッチの研究、またこれらのデバイスの元となる量子ドット構造に関する研究を行っている。

(研究テーマ)
光スイッチに関する研究
有機金属気相成長に関する研究
波長分割光スイッチに関する研究
全光スイッチに関する研究
量子ドットに関する研究
光インターコネクションに関する研究
電子デバイスに関する研究

(共同・受託研究希望テーマ)
光デバイスに関する研究
有機金属気相成長装置による結晶成長


経歴

 1

論文

 238
  • Yasumasa Kawakita, Tatsuya Kihara, Kazunori Miki, Kazuhiko Shimomura
    Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering. 4640 289-297 2002年1月  
  • SB Che, Nomura, I, T Takada, A Kikuchi, K Shimomura, K Kishino
    JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 39 S18-S22 2001年12月  査読有り
    Novel ZnCdSe/BeZnTe type-II superlattices (SLs) are very attractive For active layers of new visible light emitting devices using II-VI compounds on InP substrates. It is expected that the transition energy of the SL can be controlled in a wide visible range from 761 to 397 nut by only changing layer-thickness combinations. In this study, the ZnCdSe/BeZnTe SLs grown on InP substrates by molecular beam epitaxy with the shutter Control method for the first time. In the X-ray diffraction measurements, sharp satellite peaks from the SL structures could be observed, which indicates that high crystal qualities and steep interfaces between ZnCdSe and BeZnTe layers were obtained by using the shutter control method. For the SL samples with several layer-thickness combinations, wide-range visible emissions from 740 to 507 nut could be observed in the Pl measurements at 15 K. The PL peaks are comparable to theoretical transition energies calculated for ZnCdSe/BeZnTe SL structures. A double hetero (DH) structure consisting of ZnCdSe/BeZnTe SLs and BeZnTe cladding layers was fabricated. In the PL spectrum of the DH sample at 15 K. sharp peak emissions at 517 and 614 nm could be observed.
  • SB Che, Nomura, I, T Takada, A Kikuchi, K Shimomura, K Kishino
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 40(12) 6747-6752 2001年12月  
    ZnCdSe/BeZnTe II-VI compound superlattices (SLs) were grown on InP substrates by molecular beam epitaxy for the first time. In the X-ray diffraction studies, definite satellite Peaks were observed for each sample, which indicates that fine periodic SL structures were obtained. For SL samples with several layer thickness combinations, wide-range visible emissions from 740 to 507 nm were observed during photoluminescence (PL) studies at 15 K. Comparison of PL emission properties at 15 K for a ZnCdSe/BeZnTe SL and ZnCdSe bulk samples showed the superior emission intensity of the SL sample, A double hetero-structure (DH) consisting of ZnCdSe/BeZnTe SLs and BeZnTe cladding layers was fabricated. In the PL spectrum of the DH sample at 15 K, sharp emission peaks at 517 and 604 nm were observed. Visible light emitting diodes were fabricated by applying ZnCdSe/BeZnTe SLs as the active layer, and were evaluated under pulsed current injections at room temperature. A single-peak yellow-green emission around 562 nm was obtained.
  • YAMAZAKI Kouichiro, FUKUOKA Ryuuji, 下村和彦
    Extended abstracts of the 2001 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 26-28, 2001, Tokyo, Diamond Hotel 332-333 2001年9月  
  • M Takizawa, Nomura, I, SB Che, A Kikuchi, K Shimomura, K Kishino
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 227 660-664 2001年7月  
    BeZnCdSe quaternaries, MgSe/BeZnCdSe superlattice (SL) and BeZnCdSe quantum well (QW) structures were grown on InP substrates by molecular beam epitaxy for the first time. As for a lattice-matched Be-0.08(Zn0.30Cd0.70)(0.92)Se sample, a single-peak photoluminescence (PL) spectrum was observed at the temperature range from 15K to room temperature. The PL peak wavelength and the full-width at half-maximum (FWHM) value at 15 K were 572 nm and 8.8 meV, respectively. PL measurements of MgSe/BeZnCdSe SL samples were observed single-peak emissions in the green-to-blue color range from 525 to 470 nm at 15 K with changing MgSe layer-thickness ratio from 0.20 to 0.60. As for the QW sample consisting of four BeZnCdSe QWs with a different well width, PL peaks corresponding to each QW were observed in the wavelength range from 459 to 561 nm at 15 E(. By fitting calculated transition energies in the QWs to the PL peak energies. the band offset ratio between the BeZnCdSe well and the MgSe/BeZnCdSe SL barrier was estimated to be DeltaE(c) : DeltaE(v) = 9 : 1. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
  • 川北泰雅, 木原達哉, 三木一憲, 下村和彦
    電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 101(92) 13-18 2001年5月  
    我々は、MOVPE選択成長により異なる屈折率を有するアレイ導波路を用いた光偏向器を提案した。これはアレイ導波路の両側に非対称な幅を持つガラスマスクを配置することによって、アレイ導波路の層厚を変化し、光導波に伴う位相変化を各導波路において変え、光偏向を行う素子である。この素子において、アレイ導波路への光分配を行うために多モード干渉(MMI)結合器の設計および試作を行った。理論的には、16分岐MMIにおいて出射光のばらつきは、0.42dBと推定された。実際にGaInAs/InP MQW導波路を用いて作製した16分MMIにおいては波長1.56μm光において、出射光のばらつきは0.88dBであった。また、この素子を波長分割素子へ応用するために分割波長間隔等の数値計算を行った。
  • T Kihara, Y Nitta, H Suda, K Miki, K Shimomura
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 221(1-4) 196-200 2000年12月  
    We report the wavelength control of the arrayed waveguide using MOVPE selective area growth. The asymmetric mask pattern, which placed the wide mask next to the one-side-arrayed waveguide, resulted in the gradient change of the bandgap wavelength in array waveguides. The wavelength in each waveguide was found to be linearly changed and clearly dependent on the wide mask width W-w. A 100nm photoluminescence peak wavelength shift in the arrayed waveguide was achieved for a 50 mum asymmetric mask pattern, while maintaining linearly shifted profiles. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
  • SB Che, Nomura, I, W Shinozaki, A Kikuchi, K Shimomura, K Kishino
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 214 321-324 2000年6月  
    BeZnTe II-VI compound ternary alloys with various Be composition (x(Be)) were grown on InP substrates by molecular beam epitaxy. From absorption coefficient measurements at room temperature. the bandgap energies (E-g) were evaluated as a function of x(Be). The bandgap energy monotonically increases from 2.24 to 3.29 eV when increasing x(Be) from 0 to 0.62 By fitting a quadratic equation in terms of x(Be) to the E-g values, E-g = 2.24(1 - x(Be)) + 4.1x(Be) + 0.1x(Be)(x(Be) - 1) is obtained, and tho bowing parameter is seen to be as small as 0.1eV. Thus, the E-g value of BeZnTe, when the lattice constant is matched to InP, is estimated to be 3.1eV. p-type doped BeZnTe alloys were grown using an RF-radical nitrogen source. A high hole concentration of 4.8 x 10(18) cm(-3) was obtained for a Be0.4Zn0.6Te sample with a wide bandgap of 2.97eV. These results suggest that BeZnTe is very promising for p-cladding layer materials in short wavelength II-VI laser diodes. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
  • T.Takada, I.Nomura, S.Che, A.Kikuchi, SHIMOMURA KAZUHIKO, K.Kishino
    Third Internatinal Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes TuC1 2000年3月  
  • SHIMOMURA KAZUHIKO, T.Takada, I.Nomura, S.Che, A.Kikuchi, K.Kishino
    International Symposium on Ultra-Parallel Optoelectronics P-6 2000年2月  
  • Tatsuya Kihara, Yuichi Nitta, Hiroaki Suda, Kazunori Miki, Kazuhiko Shimomura
    Journal of Crystal Growth 221(1-4) 196-200 2000年  
    We report the wavelength control of the arrayed waveguide using MOVPE selective area growth. The asymmetric mask pattern, which placed the wide mask next to the one-side-arrayed waveguide, resulted in the gradient change of the bandgap wavelength in array waveguides. The wavelength in each waveguide was found to be linearly changed and clearly dependent on the wide mask width Ww. A 100 nm photoluminescence peak wavelength shift in the arrayed waveguide was achieved for a 50 μm asymmetric mask pattern, while maintaining linearly shifted profiles.
  • R Sabrusajang, Y Nitta, K Shimomura
    ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN PART II-ELECTRONICS 82(12) 21-29 1999年12月  
    A new type of optical deflector with a graded refractive index region is proposed. For this device, two types of structure, a multielectrode type and a comblike electrode type, have been numerically analyzed using the finite difference beam propagation method to show results :such as the dependence of the deflection angle and the deflection efficiency on the structure. We fabricated this optical deflector using a GaInAs/InP MQW structure, and we confirmed the fundamental optical deflection and the wavelength dependence of the device. (C) 1999 Scripta Technica.
  • SATRUSAJANG Ratapon, YAMAMOTO Hironari, SHIMOMURA Kazuhiko
    Extended abstracts of the 1999 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 21-24, 1999, Tokyo, Nihon Toshi Center Kaikan 1999 282-283 1999年9月  
  • ラタポン・サットルサヤェン, 山本裕也, 新田雄一, 下村和彦
    電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 99(39) 7-12 1999年5月  
  • W Shinozaki, Nomura, I, H Shimbo, H Hattori, T Sano, SB Che, A Kikuchi, K Shimomura, K Kishino
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 38(4B) 2598-2602 1999年4月  査読有り
    Superlattice quasi-quaternaries (SL-QQs), consisting of MgSe/ZnSeTe short-period superlattices, were grown on InP substrates by molecular beam epitaxy with nitrogen p-doping. By changing the Mg composition (i.e., the layer thickness ratio of MgSe in the superlattice) from 0 to 0.76, the photoluminescence peak energy at 15 K increased from 2.11 to 7.68 eV. The N-doping of MgSe/ZnSeTe SL-QQs was performed by two processes, that is by the modulation-doping into ZnSeTe and by the all-doping. For the modulation-doping, a hole concentration of over 1 x 10(18) cm(-3) was obtained for Mg composition of less than 0.14, with decreased monotonically with increasing Mg composition. The hole concentration increased by changing the doping process from the modulation-doping to the ail-doping. Far example, the hole concentration increased from 1 x 10(15) to 3 x 10(17) cm(-3) for Mg composition of 0.4. ZnCdSe/MgZnCdSe(Te) light emitting diodes (LEDs) were fabricated using MgSe/ZnSeTe SL-QQs as p-cladding layers having yellow emissions around 577 nm at 77 K.
  • 下村和彦
    光アライアンス 10(4) 32-36 1999年4月  
  • Y Nitta, T Yamagata, K Shimomura
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 38(4B) 2580-2585 1999年4月  
    The gate-length dependencies of the optical response characteristics in an optically controlled metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) have been measured. This device was fabricated as an integrated structure of the absorption region anti MOSFET region using the direct wafer-bonding technique. By reducing the gate length of the MOSFET region, the transconductance of the FET channel was increased, and a high current modulation and responsivity was obtained by irradiation of 1.5 mu m wavelength light.
  • K Shimomura, T Yamagata
    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS 5(2) 178-183 1999年3月  
    We have demonstrated a novel integrated photo- detector on Si large-scale integration circuits, This device integrated the light absorption region on the gate of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET), and the long wavelength light controls the current of MOSFET. The GaInAs-InP multiple-quantum-well absorption region and SiO2 of the MOSFET were directly bonded, From the experimental results, we confirmed that the light-controlled current was increased by shortening the gate length of the MOSFET, and that an 1850 A/W responsivity was obtained in a 3.5-mu m gate length device using an irradiation of 1,5-mu m wavelength light.
  • SHIMOMURA KAZUHIKO, R.Satrusajang, Y.Nitta, Y.Yamamoto
    16th Semiconductor Laser Symposium 22 1999年3月  
  • 下村和彦, ラタポン・サットルサヤエン, 新田雄一
    電子情報通信学会論文誌. C-I, エレクトロニクス, I-光・波動 82(2) 82-90 1999年2月  
    屈折率が傾斜するように分布させた構造の光偏向器を提案した. この光偏向器を実現するための構造として, 多電極型と櫛型電極の二つの構造について, ビーム伝搬法を用いた数値解析を行い, 偏向角, 偏向効率等の構造依存性を明らかにした. そして実際にGaInAs/InP多重量子井戸構造をもとに光偏向器を試作し, 電界印加による基本的な光偏向動作と入射光波長依存性を確認した.
  • SHIMOMURA KAZUHIKO, Y.Nitta, T.Yamagata, Y.Takano
    PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING 3630 212-221 1999年  
  • SHIMOMURA KAZUHIKO
    Recent Res. Devel. In Applied Phys. 2 33-42 1999年  
  • R Satrusajang, Y Nitta, K Shimomura
    INTEGRATED OPTICS DEVICES III 3620 356-365 1999年  
    New type optical deflector with graded refractive index region has proposed. For this device, two types structure that are multi electrode type and comb like electrode type have been numerical analyzed using Finite Difference Beam Propagation Method, and have shown the structural dependence on the deflection angle and the deflection efficiency, etc. We fabricated this optical deflector using GaInAs/InP MQW structure, and we confirmed the fundamental optical deflection and the wavelength dependence of the device.
  • SHIMOMURA KAZUHIKO, T.Sakai, Y.Nitta
    International Topical Meeting on Microwave Photonics (MWP'98) 189-192 1998年10月  
  • SHINOZAKI Wataru, NOMURA Ichirou, SHIMBO Hiroyuki, HATTORI Hiroshi, SANO Takashi, CHE Song-Bek, KIKUCHI Akihiko, SHIMOMURA Kazuhiko, KISHINO Katsumi
    Extended abstracts of the 1998 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 7-10, 1998, Hiroshima, International Conference Center Hiroshima 1998 354-355 1998年9月  
  • T.Yamagata, Y.Nitta, SHIMOMURA KAZUHIKO
    Extended abstracts of the 1998 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 7-10, 1998, Hiroshima, International Conference Center Hiroshima 344-345 1998年9月  
  • SHIMOMURA KAZUHIKO, I.Nomura, H.Shimbo, W.Shinozaki, H.Hattori, T.Sano, S.Che, A.Kikuchi, K.Kishino
    10th International Conference on Molecular Beam Epitaxy PW3.5 1998年8月  
  • SHIMOMURA KAZUHIKO, T.Sakuma, R.Satrusajang
    Third Optoelectronics and Communications Conference : July 12-16, 1998, Nippon Convention Center, Makuhari Messe, Chiba, Japan : technical digest 14P-27 1998年8月  
  • SHIMOMURA KAZUHIKO, T.Yamagata, K.Kinoshita, M.Sakurai
    Third Optoelectronics and Communications Conference : July 12-16, 1998, Nippon Convention Center, Makuhari Messe, Chiba, Japan : technical digest 14P-31 1998年7月  
  • T Sakai, K Shimomura
    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS 10(3) 418-420 1998年3月  
    High on-off ratio and high responsivity was obtained in a novel integrated optically controlled HEMT, The integrated structure of the device was composed of a p-i-n photodiode region and a HEMT region, These two regions were bonded using direct wafer bonding technique, When a laser light with a wavelength of 1.55 mu m was irradiated on the absorption region, on-off ratio of 12 dB and a responsivity of more than 300 A/W was obtained, This device is very attractive as the high efficiency optoelectronic (OE) transformer directly integrated on the LSI circuits.
  • SHIMOMURA KAZUHIKO, T.Yamagata, K.Kinoshita, M.Sakurai
    The 15th Semiconductor Laser Symposium (International) D-18 1998年3月  
  • T Nagano, Nomura, I, M Haraguchi, M Arai, H Hattori, H Shimbo, A Kikuchi, K Shimomura, K Kishino
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 184 732-736 1998年2月  
    ZnCdSe/MgZnCdSe multiple quantum well (MQW) devices were fabricated on InP substrates by molecular beam epitaxy, and quantum-confined Stark effect (QCSE) in the devices were investigated by measurements of reflectance variations at the top surface and absorption coefficient variations in the MQW region with changing applied voltage at room temperature. As a result, remarkable reflectance variations were observed near 587 nm wavelength, accompanied by red shifts of the transition wavelength with increasing applied voltage. A maximum reflectance variation of 5.2% was obtained under the applied voltage of -7.5 V (the electric field of 1.9 x 10(5) V/cm). From the electromagnetic analysis of the device structure. the refractive index variation of 2.4% per well in the MQW was theoretically estimated for the maximum reflectance variation. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
  • T Yamagata, K Shimomura
    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS 9(8) 1143-1145 1997年8月  
    For the first time, high responsivity was obtained from an integrated optically controlled metal-oxide semiconductor field-effect transistor using the direct wafer bonding technique, The integrated structure of the device was composed of an absorption p-i-n photodiode region and a MOSFET, These two regions were bonded using the SiO2-InP direct wafer bonding technique, When a laser light with a wavelength of 1.50 mu m was irradiated on the absorption region, a responsivity of more than 280 A/W was obtained, This is the largest responsivity in an integrated long-wavelength photoreceiver on a Si substrate, This device modulates MOSFET's current by changing the electric field in the absorption region.
  • SHIMOMURA KAZUHIKO, T.Nagano, M.Haraguchi, T.Morita, M.Arai, H.Shinbo, I.Nomura, A.Kikuchi, K.Kishino
    The 8th International Conference on II-VI Compounds Th-P78 1997年8月  
  • 下村和彦
    機能材料 17(7) 30-36 1997年7月  
  • Sakai Takayuki, Takesue Yasuhiro, Shimomura Kazuhiko
    OPTOELECTRONICS&COMMUNICATIONS CONFERENCE 2(1) 454-455 1997年7月  
  • 佐久間剛, 下村和彦
    電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 97(39) 13-18 1997年5月  
    我々は光スイッチにないランダムアクセス性に優れた光偏向素子の研究を行っている。これまで理論解析を通じて屈折率分布型の光偏向素子の提案を行ってきた。今回、この構造を持つGaInAsP/InP MQW構造導波路型光偏向素子の試作を行い、その偏向特性を測定した。試作した素子はGaInAsP/InP MQW基板を用い、光入射部である幅5[μm]のリッジ型導波路構造を形成した後に、偏向器部分である幅3[μm]、長さ100[μm]の3本からなる屈折率分布領域を形成し、その先はスラブ導波路領域となっている。偏向器部分には異なる長さの電極を形成し、これに電界を印加することによって屈折率分布が生じ、入射光が偏向されるものである。波長1.46[μm]・0.3[mW]の光を入射し、3本の電極にそれぞれ逆バイアス2[V]印加した時、7[μm]偏向した。これは、偏向角1度に相当する結果である。
  • T Sakai, K Shimomura
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 36(3B) 1481-1486 1997年3月  
    An optically controlled field-effect transistor (FET) in which the GaAs FET region and the GaInAs/InP light absorption region were directly bonded is demonstrated. This device offers high optical-to-electrical conversion efficiency. In this work, we report the electrical and optical characteristics of this device based on the direct wafer bonding technique. The bonding temperature dependence on the device characteristics and responsivity characteristics were also measured. As a result, we achieved a high responsivity of more than 150 A/W.
  • SHIMOMURA KAZUHIKO, T.Yamagata
    The 14th Semiconductor Laser Symposium (International) D-20 1997年3月  
  • SHIMOMURA KAZUHIKO, I.Nomura, T.Morita, M.Haraguchi, H.Shinbo, T.Nagano, M.Arai, A.Kikuchi, K.Kishino
    The 14th Semiconductor Laser Symposium (International) A-5 1997年3月  
  • 酒井崇幸, 武居靖大, 下村和彦
    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 96(520) 67-72 1997年2月  
  • 原口勝, 新井将之, 森田敏弘, 服部洋, 水野剛之, 野村一郎, 菊池昭彦, 下村和彦, 岸野党巳
    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 96(399) 61-66 1996年12月  
    本研究ではInP基板上に格子整合するII-VI族MgZnCdSe系混晶を用いた光変調器の作製を目指している.今回,InP基板に格子整合するZnCdSe/MgZnCdSe多重量子井戸を分子線エピタキシー法により成長し,その量子閉じ込めシュタルク効果(QCSE)を評価したので報告する.この量子井戸構造に電界を印加した時の反射スペクトルを測定したところ,1.87x10^5V/cmの電界印加時に-6.3%の反射率変化が観測された.この値は-3.4%の屈折率変化に相当し,エキシトン効果に起因するものと考えられる.これらのII-VI族特有の大きなエキシトン効果を用いれば,高い消光比を持つ光変調器の実現が期待できる.そこで,屈折率変化層の上下面に多層膜反射鏡を持つファブリペロー型光変調器の設計を行い,消光比や挿入損失等の性能を理論的に見積った.さらにMgZnCdSe多層膜反射鏡を試作し,580nm 等の波長帯において98.0%の反射率を得た.
  • T Yamagata, K Shimomura
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 35(12A) L1589-L1592 1996年12月  
    The drain-to-source current of a metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) was controlled by long-wavelength laser light for the first time. The device studied was composed of an absorption region and a MOSFET, and these two regions were bonded by polyimide. When the voltage was applied to the absorption region, it shelved the normal operation of a MOSFET. When the laser light with a wavelength of 1.48 mu m was irradiated on to the absorption region, a responsivity of more than 100 A/W was achieved. This device modulates the current of the MOSFET by changing the electric field in the absorption region, and it has the possibility of high-speed operation up to 60 GHz.
  • T. Yamagata, T. Sakai, K. Sakata, SHIMOMURA KAZUHIKO
    International Topical Meeting on Microwave Photonics : MWP'96 : Dec. 3-5, 1996, ATRI, Kyoto, Japan : satellite workshop, Dec. 6, 1996, ATRI, Kyoto, Japan 173-176 1996年12月  
  • 山縣智成, 酒井崇幸, 坂田和昭, 下村和彦
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 96(284) 67-72 1996年10月  
    Si基板上に集積化された長波長光検出器である光制御MOSFETを異種半導体基板の直接貼付技術を用いて試作、その光応答特性を測定した。光制御MOSFETは光入射によって起こる光吸収領域の電位変化を利用してMOSFETのソース-ドレイン電流を制御するものである。その応答速度は光吸収領域、およびMOSFETの応答速度に依存し、数+GHzの高速下での使用が可能である。直接貼付技術を用いることによって従来の光制御MOSFETより特性の改善が行われ、測定の結果、入射光波長λ=1.50μmにおいて最大変調電流量ΔI_<DS>=560μA、最大光変調電圧ΔV_<PS>=0.4V、最大応答感度R=288A/Wを得た。
  • SAKAI Takayuki, SHIMOMURA KAZUHIKO
    Extended abstracts of the 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, August 26-29, 1996, Yokohama, Pacifico Yokohama 640-642 1996年8月  
  • T Sakai, K Shimomura
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 35(7A) L835-L837 1996年7月  
    An optically controlled field-effect transistor (FET) in which the GaAs FET region and the GaInAs/InP light absorption region were directly bonded was demonstrated. The temperature dependence of the direct bonding and its effect on the performance of the optically controlled FET were examined. A maximum current modulation rate of 60% and a responsivity of more than 150(A/W) were obtained.
  • 酒井崇幸, 下村和彦
    電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 96(37) 13-18 1996年5月  
    異種半導体基板の直接貼付技術を用いて光制御FETの試作を行った。このデバイスは光吸収領域とFET領域から構成され、1.55μm光の入射により、FETのドレインーソース電流を変調制御するものである。今回、貼付プロセスにおけるアニール温度を620、660、700℃にて素子の試作を行い、光応答特性に対する貼付温度依存性を測定した。また、入射光強度依存性に関しても測定し、最大応答感度R=151.8(A/W)(Pm=1μW)を得た。
  • SHIMOMURA KAZUHIKO, T.Kobayashi
    1996 International Topical Meeting on Photonics in Switching : technical digest PWC24 1996年4月  

MISC

 14

書籍等出版物

 4

講演・口頭発表等

 313

共同研究・競争的資金等の研究課題

 31

その他

 5
  • 1992年4月
    電磁気学Ⅲ、光電磁波伝送工学の講義においては、講義内容に関連する小テストをほぼ毎回実施している。ノートの参照を許し、また答案を回収後すぐに解答を示している。これにより学生の講義に対する理解を補助していると考えている。
  • 1992年4月
    研究室の輪講会において、学生たちにレポート・論文の書き方を指導することに力を入れている。レポートを書くための文献・資料をどうやって集めるか、集めた文献・資料をどのように読みこなしていくか、自分が書こうとするレポート・論文で展開する議論をどのような構成にしていくか、文献・資料をどのように利用するか、レポート・論文の書式はどのようでなければならないか、といった点を中心に指導している。
  • 1992年4月
    毎週行われている研究室の研究発表会において、学生たちにプレゼンテーションの仕方を指導することに力を入れている。わかりやすいプレゼンテーションをするためのパワーポイントの作り方、よりわかりやすい発表の仕方等について指導を行っている。
  • 1992年4月
    研究室の卒業研究生、および大学院生には、研究データ・資料のデジタル化を行うことを義務付けている。また過去の卒業論文、修士論文、博士論文、また投稿論文、国際会議、国内学会発表論文、資料等、すべていつでも参照できる環境を整えている。さらに研究に関連することは同報メールで随時情報を送っている。
  • 1992年4月
    本学に赴任以来、Research Reviewを3号発行した。これは、研究室所属者の雑誌投稿論文、国際会議、研究会、国内学会等の予稿をまとめたものであり、卒研生、大学院生の知的向上と成果公表をめざしたものである。