研究者業績
基本情報
- 所属
- 上智大学 理工学部機能創造理工学科 教授(兼任)理工学研究科理工学専攻主任
- 学位
- 工学博士(東京工業大学)
- 研究者番号
- 90222041
- J-GLOBAL ID
- 200901062540285806
- researchmap会員ID
- 1000073283
- 外部リンク
1991年 東京工業大学・工学部・助手
半導体光スイッチ・変調器に関する研究
1992年 上智大学・理工学部・電気電子工学科専任講師
1995年 上智大学・理工学部・電気電子工学科助教授
光インターコネクションに関する研究
光制御FETに関する研究
有機金属気相成長法による長波長系材料の成長に関する研究
2000年10月-2001年9月 ベル研究所（米国ルーセントテクノロジー）Member of Technical Staff
モード同期レーザに関する研究
2002年 上智大学・理工学部・電気電子工学科教授
光通信用デバイスに関する研究
教育活動においては、学部生を対象に、「電磁波伝搬の基礎」、「光電磁波伝送工学」の講義を行っている。「電磁波伝搬の基礎」ではMaxwellの方程式より導かれる電磁波について、平面波、反射、透過、放射などの基礎的現象、そして「光電磁波伝送工学」では、その応用として導波管、誘電体導波路を例として伝送路を用いた電磁波の伝送に関する講義を行っている。大学院では、「光導波工学」において、光通信システムにおいて必要な、光導波論、半導体材料として重要な量子構造に関する講義を行っている。
研究活動においては、光通信用デバイスに関する研究を行っている。光インターコネクション技術に関して、直接貼付InP薄膜/シリコン基板を用いたシリコンプラットフォームへの光デバイス集積化について研究を行っている。また波長多重通信のための波長分波器、光交換用の光スイッチ、光変調器、光偏向器、波長スイッチの研究、またこれらのデバイスの元となる量子ドット構造に関する研究を行っている。
(研究テーマ)
光スイッチに関する研究
有機金属気相成長に関する研究
波長分割光スイッチに関する研究
全光スイッチに関する研究
量子ドットに関する研究
光インターコネクションに関する研究
電子デバイスに関する研究
(共同・受託研究希望テーマ)
光デバイスに関する研究
有機金属気相成長装置による結晶成長
研究キーワード
13経歴
1-
1991年4月 - 1992年3月
論文
241-
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 229(2) 1001-1004 2002年1月
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PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 229(2) 987-990 2002年1月
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INTEGRATED OPTICS: DEVICES, MATERIALS, AND TECHNOLOGIES VI 4640 289-297 2002年 査読有り
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Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering. 4640 289-297 2002年1月
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JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 39 S18-S22 2001年12月 査読有り
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JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 40(12) 6747-6752 2001年12月
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Extended abstracts of the 2001 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 26-28, 2001, Tokyo, Diamond Hotel 332-333 2001年9月
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JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 227 660-664 2001年7月
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電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 101(92) 13-18 2001年5月我々は、MOVPE選択成長により異なる屈折率を有するアレイ導波路を用いた光偏向器を提案した。これはアレイ導波路の両側に非対称な幅を持つガラスマスクを配置することによって、アレイ導波路の層厚を変化し、光導波に伴う位相変化を各導波路において変え、光偏向を行う素子である。この素子において、アレイ導波路への光分配を行うために多モード干渉(MMI)結合器の設計および試作を行った。理論的には、16分岐MMIにおいて出射光のばらつきは、0.42dBと推定された。実際にGaInAs/InP MQW導波路を用いて作製した16分MMIにおいては波長1.56μm光において、出射光のばらつきは0.88dBであった。また、この素子を波長分割素子へ応用するために分割波長間隔等の数値計算を行った。
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JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 221(1-4) 196-200 2000年12月
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JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 214 321-324 2000年6月
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Third Internatinal Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes TuC1 2000年3月
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International Symposium on Ultra-Parallel Optoelectronics P-6 2000年2月
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Journal of Crystal Growth 221(1-4) 196-200 2000年
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ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN PART II-ELECTRONICS 82(12) 21-29 1999年12月
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Extended abstracts of the 1999 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 21-24, 1999, Tokyo, Nihon Toshi Center Kaikan 1999 282-283 1999年9月
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JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 38(4B) 2598-2602 1999年4月 査読有り
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JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 38(4B) 2580-2585 1999年4月
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IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS 5(2) 178-183 1999年3月
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電子情報通信学会論文誌. C-I, エレクトロニクス, I-光・波動 82(2) 82-90 1999年2月屈折率が傾斜するように分布させた構造の光偏向器を提案した. この光偏向器を実現するための構造として, 多電極型と櫛型電極の二つの構造について, ビーム伝搬法を用いた数値解析を行い, 偏向角, 偏向効率等の構造依存性を明らかにした. そして実際にGaInAs/InP多重量子井戸構造をもとに光偏向器を試作し, 電界印加による基本的な光偏向動作と入射光波長依存性を確認した.
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PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING 3630 212-221 1999年
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INTEGRATED OPTICS DEVICES III 3620 356-365 1999年
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International Topical Meeting on Microwave Photonics (MWP'98) 189-192 1998年10月
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Extended abstracts of the 1998 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 7-10, 1998, Hiroshima, International Conference Center Hiroshima 1998 354-355 1998年9月
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Extended abstracts of the 1998 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 7-10, 1998, Hiroshima, International Conference Center Hiroshima 344-345 1998年9月
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10th International Conference on Molecular Beam Epitaxy PW3.5 1998年8月
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Third Optoelectronics and Communications Conference : July 12-16, 1998, Nippon Convention Center, Makuhari Messe, Chiba, Japan : technical digest 14P-27 1998年8月
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Third Optoelectronics and Communications Conference : July 12-16, 1998, Nippon Convention Center, Makuhari Messe, Chiba, Japan : technical digest 14P-31 1998年7月
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IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS 10(3) 418-420 1998年3月
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The 15th Semiconductor Laser Symposium (International) D-18 1998年3月
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JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 184 732-736 1998年2月
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IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS 9(8) 1143-1145 1997年8月
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The 8th International Conference on II-VI Compounds Th-P78 1997年8月
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OPTOELECTRONICS＆COMMUNICATIONS CONFERENCE 2(1) 454-455 1997年7月
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電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 97(39) 13-18 1997年5月我々は光スイッチにないランダムアクセス性に優れた光偏向素子の研究を行っている。これまで理論解析を通じて屈折率分布型の光偏向素子の提案を行ってきた。今回、この構造を持つGaInAsP/InP MQW構造導波路型光偏向素子の試作を行い、その偏向特性を測定した。試作した素子はGaInAsP/InP MQW基板を用い、光入射部である幅5[μm]のリッジ型導波路構造を形成した後に、偏向器部分である幅3[μm]、長さ100[μm]の3本からなる屈折率分布領域を形成し、その先はスラブ導波路領域となっている。偏向器部分には異なる長さの電極を形成し、これに電界を印加することによって屈折率分布が生じ、入射光が偏向されるものである。波長1.46[μm]・0.3[mW]の光を入射し、3本の電極にそれぞれ逆バイアス2[V]印加した時、7[μm]偏向した。これは、偏向角1度に相当する結果である。
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JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 36(3B) 1481-1486 1997年3月
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The 14th Semiconductor Laser Symposium (International) D-20 1997年3月
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The 14th Semiconductor Laser Symposium (International) A-5 1997年3月
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電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 96(399) 61-66 1996年12月本研究ではInP基板上に格子整合するII-VI族MgZnCdSe系混晶を用いた光変調器の作製を目指している.今回,InP基板に格子整合するZnCdSe/MgZnCdSe多重量子井戸を分子線エピタキシー法により成長し,その量子閉じ込めシュタルク効果(QCSE)を評価したので報告する.この量子井戸構造に電界を印加した時の反射スペクトルを測定したところ,1.87x10^5V/cmの電界印加時に-6.3%の反射率変化が観測された.この値は-3.4%の屈折率変化に相当し,エキシトン効果に起因するものと考えられる.これらのII-VI族特有の大きなエキシトン効果を用いれば,高い消光比を持つ光変調器の実現が期待できる.そこで,屈折率変化層の上下面に多層膜反射鏡を持つファブリペロー型光変調器の設計を行い,消光比や挿入損失等の性能を理論的に見積った.さらにMgZnCdSe多層膜反射鏡を試作し,580nm 等の波長帯において98.0%の反射率を得た.
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JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 35(12A) L1589-L1592 1996年12月
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International Topical Meeting on Microwave Photonics : MWP'96 : Dec. 3-5, 1996, ATRI, Kyoto, Japan : satellite workshop, Dec. 6, 1996, ATRI, Kyoto, Japan 173-176 1996年12月
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電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 96(284) 67-72 1996年10月Si基板上に集積化された長波長光検出器である光制御MOSFETを異種半導体基板の直接貼付技術を用いて試作、その光応答特性を測定した。光制御MOSFETは光入射によって起こる光吸収領域の電位変化を利用してMOSFETのソース-ドレイン電流を制御するものである。その応答速度は光吸収領域、およびMOSFETの応答速度に依存し、数+GHzの高速下での使用が可能である。直接貼付技術を用いることによって従来の光制御MOSFETより特性の改善が行われ、測定の結果、入射光波長λ=1.50μmにおいて最大変調電流量ΔI_<DS>=560μA、最大光変調電圧ΔV_<PS>=0.4V、最大応答感度R=288A/Wを得た。
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Extended abstracts of the 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, August 26-29, 1996, Yokohama, Pacifico Yokohama 640-642 1996年8月
MISC
14-
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(103) 15-20 2016年6月17日
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電子情報通信学会総合大会講演論文集 2016(2) 70-70 2016年3月1日
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映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report 39(12) 15-20 2015年3月有機金属気相成長法によるInAs量子ドットの発光波長制御に関して検討を行った。SiO2マスクを用いた選択成長によりアレイ導波路ごとの発光波長御、ダブルキャップ法による量子ドット高さの制御、さらにInAsの下地層であるGaInAsバッファ層の組成制御により量子ドットの発光波長を広帯域で変える成長条件を検討した。そしてこれらの構造を用いたLEDを作製し、600nmを超える発光半値幅とフラットトップスペクトルを得た。
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電子情報通信学会総合大会講演論文集 2015(2) 61-61 2015年2月24日
書籍等出版物
4-
株式会社 情報機構 2017年6月27日 (ISBN: 9784865021349)
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エヌ・ティー・エス 2011年3月25日 (ISBN: 9784860433765)
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Institute of Pure and Applied Physics 2005年2月 (ISBN: 4900526193)
講演・口頭発表等
321-
International Conference on Recent Trends in Materials Science & Devices 2025 (ICRTMD-2025) 2025年3月25日
共同研究・競争的資金等の研究課題
31-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 2021年4月 - 2024年3月
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上智大学 重点領域研究 2018年4月 - 2022年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B) 2018年4月 - 2021年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 2015年4月 - 2018年3月
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カシオ科学振興財団 2016年4月 - 2018年3月
産業財産権
6社会貢献活動
16その他
5-
1992年4月電磁気学Ⅲ、光電磁波伝送工学の講義においては、講義内容に関連する小テストをほぼ毎回実施している。ノートの参照を許し、また答案を回収後すぐに解答を示している。これにより学生の講義に対する理解を補助していると考えている。
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1992年4月研究室の輪講会において、学生たちにレポート・論文の書き方を指導することに力を入れている。レポートを書くための文献・資料をどうやって集めるか、集めた文献・資料をどのように読みこなしていくか、自分が書こうとするレポート・論文で展開する議論をどのような構成にしていくか、文献・資料をどのように利用するか、レポート・論文の書式はどのようでなければならないか、といった点を中心に指導している。
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1992年4月毎週行われている研究室の研究発表会において、学生たちにプレゼンテーションの仕方を指導することに力を入れている。わかりやすいプレゼンテーションをするためのパワーポイントの作り方、よりわかりやすい発表の仕方等について指導を行っている。
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1992年4月研究室の卒業研究生、および大学院生には、研究データ・資料のデジタル化を行うことを義務付けている。また過去の卒業論文、修士論文、博士論文、また投稿論文、国際会議、国内学会発表論文、資料等、すべていつでも参照できる環境を整えている。さらに研究に関連することは同報メールで随時情報を送っている。
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1992年4月本学に赴任以来、Research Reviewを3号発行した。これは、研究室所属者の雑誌投稿論文、国際会議、研究会、国内学会等の予稿をまとめたものであり、卒研生、大学院生の知的向上と成果公表をめざしたものである。